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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-bipolare (BJT)-Arrays, Pre-biasedUMH11NTN
Rohm Semiconductor
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UMH11NTN - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
UMH11NTN
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-UMH11NTN
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6
detaillierte Beschreibung
Verpackung
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Datenblatt
UMH11NTN.pdf
RoHS Status
vorrätig: 326070

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Anzahl

Spezifikation

UMH11NTN Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - UMH11NTN Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - UMH11NTN

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA  
Transistor-Typ 2 NPN - Pre-Biased (Dual)  
Supplier Device-Gehäuse UMT6  
Serie -  
Widerstand - Emitterbasis (R2) 10kOhms  
Widerstand - Basis (R1) 10kOhms  
Leistung - max 150mW  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Verpackung / Gehäuse 6-TSSOP, SC-88, SOT-363  
Paket Tape & Reel (TR)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang 250MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 30 @ 5mA, 5V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100mA  
Grundproduktnummer UMH11  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor UMH11NTN.

Produkteigenschaften UMH11NTN UMH11N-TP UMH11N UMH14NTR
Artikelnummer UMH11NTN UMH11N-TP UMH11N UMH14NTR
Hersteller Rohm Semiconductor Micro Commercial Co Yangjie Technology Rohm Semiconductor
Supplier Device-Gehäuse UMT6 SOT-363 SOT-363 UMT6
Frequenz - Übergang 250MHz 250MHz 250MHz 250MHz
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100mA 50mA 100mA 100mA
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 30 @ 5mA, 5V 30 @ 5mA, 5V 30 @ 5mA, 5V 100 @ 1mA, 5V
Verpackung / Gehäuse 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA 300mV @ 500µA, 10mA 300mV @ 500µA, 10mA 300mV @ 1mA, 10mA
Grundproduktnummer UMH11 UMH11 UMH11 UMH14
Leistung - max 150mW 150mW 150mW 150mW
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V 50V 50V 50V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Transistor-Typ 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Widerstand - Basis (R1) 10kOhms 10kOhms 10kOhms 47kOhms
Widerstand - Emitterbasis (R2) 10kOhms 10kOhms - -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Serie - - - -
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA 500nA 500nA -

UMH11NTN Datenblatt PDF

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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