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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysUS6M11TR
Rohm Semiconductor
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US6M11TR - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
US6M11TR
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-US6M11TR
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N/P-CH 20V/12V TUMT6
Verpackung
6-SMD, Flat Leads
Datenblatt
US6M11TR.pdf
RoHS Status
Unsere Zertifizierung
vorrätig: 130030

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Spezifikation

US6M11TR Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - US6M11TR Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - US6M11TR

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TUMT6  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 180mOhm @ 1.5A, 4.5V  
Leistung - max 1W  
Verpackung / Gehäuse 6-SMD, Flat Leads  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 110pF @ 10V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.8nC @ 4.5V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V, 12V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1.5A, 1.3A  
Konfiguration N and P-Channel  
Grundproduktnummer US6M11  

Umwelt- und Exportklassifikationen

ATTRIBUT BESCHREIBUNG
RoHS Status
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) 1 (Unlimited)
Status erreichen REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor US6M11TR.

Produkteigenschaften US6M11TR US6M2GTR US6K4TR US6M2TR
Artikelnummer US6M11TR US6M2GTR US6K4TR US6M2TR
Hersteller Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Leistung - max 1W 1W 1W 1W
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.8nC @ 4.5V 2.2nC @ 4.5V, 2.1nC @ 4.5V 2.5nC @ 4.5V 2.2nC @ 4.5V
Betriebstemperatur 150°C (TJ) 150°C 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Verpackung / Gehäuse 6-SMD, Flat Leads 6-SMD, Flat Leads 6-SMD, Flat Leads 6-SMD, Flat Leads
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA 1.5V @ 1mA, 2V @ 1mA 1V @ 1mA 1.5V @ 1mA
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1.5A, 1.3A 1.5A, 1A 1.5A 1.5A, 1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 180mOhm @ 1.5A, 4.5V 240mOhm @ 1.5A, 4.5V, 390mOhm @ 1A, 4.5V 180mOhm @ 1.5A, 4.5V 240mOhm @ 1.5A, 4.5V
Konfiguration N and P-Channel N and P-Channel 2 N-Channel (Dual) N and P-Channel
Supplier Device-Gehäuse TUMT6 TUMT6 TUMT6 TUMT6
Serie - - - -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 110pF @ 10V 80pF @ 10V, 150pF @ 10V 110pF @ 10V 80pF @ 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Grundproduktnummer US6M11 US6M2 US6K4 US6M2
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V, 12V 30V, 20V 20V 30V, 20V
FET-Merkmal Logic Level Gate - Logic Level Gate -

US6M11TR Datenblatt PDF

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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