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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysUS6K4TR
Rohm Semiconductor
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US6K4TR - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
US6K4TR
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-US6K4TR
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N-CH 20V 1.5A TUMT6
detaillierte Beschreibung
Verpackung
6-SMD, Flat Leads
Datenblatt
US6K4TR.pdf
RoHS Status
vorrätig: 178710

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Anzahl

Spezifikation

US6K4TR Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - US6K4TR Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - US6K4TR

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TUMT6  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 180mOhm @ 1.5A, 4.5V  
Leistung - max 1W  
Verpackung / Gehäuse 6-SMD, Flat Leads  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 110pF @ 10V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.5nC @ 4.5V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1.5A  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer US6K4  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor US6K4TR.

Produkteigenschaften US6K4TR US6K1TR US6M11TR US6K2TR
Artikelnummer US6K4TR US6K1TR US6M11TR US6K2TR
Hersteller Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA 1.5V @ 1mA 1V @ 1mA 2.5V @ 1mA
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V 30V 20V, 12V 30V
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) N and P-Channel 2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.5nC @ 4.5V 2.2nC @ 4.5V 1.8nC @ 4.5V 2nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 180mOhm @ 1.5A, 4.5V 240mOhm @ 1.5A, 4.5V 180mOhm @ 1.5A, 4.5V 240mOhm @ 1.4A, 10V
Supplier Device-Gehäuse TUMT6 TUMT6 TUMT6 TUMT6
Serie - - - -
Betriebstemperatur 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Verpackung / Gehäuse 6-SMD, Flat Leads 6-SMD, Flat Leads 6-SMD, Flat Leads 6-SMD, Flat Leads
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
FET-Merkmal Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 110pF @ 10V 80pF @ 10V 110pF @ 10V 70pF @ 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1.5A 1.5A 1.5A, 1.3A 1.4A
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Grundproduktnummer US6K4 US6K1 US6M11 US6K2
Leistung - max 1W 1W 1W 1W

US6K4TR Datenblatt PDF

Laden Sie US6K4TR PDF -Datenblätter und Rohm Semiconductor -Dokumentation für US6K4TR - Rohm Semiconductor herunter.

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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