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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelCSD17576Q5B
Texas Instruments
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CSD17576Q5B - Texas Instruments

Hersteller Artikelnummer
CSD17576Q5B
Hersteller
Texas Instruments
Allelco Artikelnummer
32D-CSD17576Q5B
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerTDFN
Datenblatt
CSD17576Q5B.pdf
RoHS Status
vorrätig: 74250

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Anzahl

Spezifikation

CSD17576Q5B Tech -Spezifikationen
Texas Instruments - CSD17576Q5B Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments - CSD17576Q5B

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Texas Instruments  
VGS (th) (Max) @ Id 1.8V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-VSONP (5x6)  
Serie NexFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2mOhm @ 25A, 10V  
Verlustleistung (max) 3.1W (Ta), 125W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4430 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 68 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 100A (Ta)  
Grundproduktnummer CSD17576Q5  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Texas Instruments CSD17576Q5B.

Produkteigenschaften CSD17576Q5B CSD17575Q3 CSD17555Q5A CSD17577Q3A
Artikelnummer CSD17576Q5B CSD17575Q3 CSD17555Q5A CSD17577Q3A
Hersteller Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 68 nC @ 10 V 30 nC @ 4.5 V 28 nC @ 4.5 V 35 nC @ 10 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
VGS (th) (Max) @ Id 1.8V @ 250µA 1.8V @ 250µA 1.9V @ 250µA 1.8V @ 250µA
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Grundproduktnummer CSD17576Q5 CSD17575 CSD17555 CSD17577
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4430 pF @ 15 V 4420 pF @ 15 V 4650 pF @ 15 V 2310 pF @ 15 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerVDFN
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verlustleistung (max) 3.1W (Ta), 125W (Tc) 2.8W (Ta), 108W (Tc) 3W (Ta) 2.8W (Ta), 53W (Tc)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2mOhm @ 25A, 10V 2.3mOhm @ 25A, 10V 2.7mOhm @ 25A, 10V 4.8mOhm @ 16A, 10V
Supplier Device-Gehäuse 8-VSONP (5x6) 8-VSON-CLIP (3.3x3.3) 8-VSONP (5x6) 8-VSONP (3x3.3)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
FET-Merkmal - - - -
Serie NexFET™ NexFET™ NexFET™ NexFET™
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 100A (Ta) 60A (Ta) 24A (Ta), 100A (Tc) 35A (Ta)

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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