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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelCSD17570Q5BT
Texas Instruments
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CSD17570Q5BT - Texas Instruments

Hersteller Artikelnummer
CSD17570Q5BT
Hersteller
Texas Instruments
Allelco Artikelnummer
32D-CSD17570Q5BT
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerTDFN
Datenblatt
CSD17570Q5BT.pdf
RoHS Status
vorrätig: 24395

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Anzahl

Spezifikation

CSD17570Q5BT Tech -Spezifikationen
Texas Instruments - CSD17570Q5BT Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments - CSD17570Q5BT

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Texas Instruments  
VGS (th) (Max) @ Id 1.9V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-VSON-CLIP (5x6)  
Serie NexFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 0.69mOhm @ 50A, 10V  
Verlustleistung (max) 3.2W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 13600 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 121 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 100A (Ta)  
Grundproduktnummer CSD17570Q5  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Texas Instruments CSD17570Q5BT.

Produkteigenschaften CSD17570Q5BT CSD17573Q5B CSD17577Q3A CSD17576Q5B
Artikelnummer CSD17570Q5BT CSD17573Q5B CSD17577Q3A CSD17576Q5B
Hersteller Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerVDFN 8-PowerTDFN
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 100A (Ta) 100A (Ta) 35A (Ta) 100A (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Verlustleistung (max) 3.2W (Ta) 3.2W (Ta), 195W (Tc) 2.8W (Ta), 53W (Tc) 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
VGS (th) (Max) @ Id 1.9V @ 250µA 1.8V @ 250µA 1.8V @ 250µA 1.8V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 121 nC @ 4.5 V 64 nC @ 4.5 V 35 nC @ 10 V 68 nC @ 10 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 13600 pF @ 15 V 9000 pF @ 15 V 2310 pF @ 15 V 4430 pF @ 15 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 0.69mOhm @ 50A, 10V 1mOhm @ 35A, 10V 4.8mOhm @ 16A, 10V 2mOhm @ 25A, 10V
Grundproduktnummer CSD17570Q5 CSD17573Q5 CSD17577 CSD17576Q5
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Supplier Device-Gehäuse 8-VSON-CLIP (5x6) 8-VSON-CLIP (5x6) 8-VSONP (3x3.3) 8-VSONP (5x6)
Serie NexFET™ NexFET™ NexFET™ NexFET™
FET-Merkmal - - - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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