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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelCSD18540Q5BT
Texas Instruments
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CSD18540Q5BT - Texas Instruments

Hersteller Artikelnummer
CSD18540Q5BT
Hersteller
Texas Instruments
Allelco Artikelnummer
32D-CSD18540Q5BT
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerTDFN
Datenblatt
CSD18540Q5B Datasheet.pdf
RoHS Status
vorrätig: 21235

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Anzahl

Spezifikation

CSD18540Q5BT Tech -Spezifikationen
Texas Instruments - CSD18540Q5BT Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments - CSD18540Q5BT

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Texas Instruments  
VGS (th) (Max) @ Id 2.3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-VSON-CLIP (5x6)  
Serie NexFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.2mOhm @ 28A, 10V  
Verlustleistung (max) 3.1W (Ta), 195W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4230 pF @ 30 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 53 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 100A (Ta)  
Grundproduktnummer CSD18540  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Texas Instruments CSD18540Q5BT.

Produkteigenschaften CSD18540Q5BT CSD18541F5 CSD18537NKCS CSD18563Q5A
Artikelnummer CSD18540Q5BT CSD18541F5 CSD18537NKCS CSD18563Q5A
Hersteller Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments
Grundproduktnummer CSD18540 CSD18541 CSD18537 CSD18563
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4230 pF @ 30 V 777 pF @ 30 V 1480 pF @ 30 V 1500 pF @ 30 V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.2mOhm @ 28A, 10V 65mOhm @ 1A, 10V 14mOhm @ 25A, 10V 6.8mOhm @ 18A, 10V
Serie NexFET™ FemtoFET™ - NexFET™
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 6V, 10V 4.5V, 10V
FET-Merkmal - - - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 53 nC @ 10 V 14 nC @ 10 V 18 nC @ 10 V 20 nC @ 10 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 60 V 60 V 60 V
Verlustleistung (max) 3.1W (Ta), 195W (Tc) 500mW (Ta) 94W (Tc) 3.2W (Ta), 116W (Tc)
Supplier Device-Gehäuse 8-VSON-CLIP (5x6) 3-PICOSTAR TO-220-3 8-VSONP (5x6)
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN 3-SMD, No Lead TO-220-3 8-PowerTDFN
VGS (th) (Max) @ Id 2.3V @ 250µA 2.2V @ 250µA 3.5V @ 250µA 2.4V @ 250µA
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Through Hole Surface Mount
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 100A (Ta) 2.2A (Ta) 50A (Tc) 100A (Ta)

CSD18540Q5BT Datenblatt PDF

Laden Sie CSD18540Q5BT PDF -Datenblätter und Texas Instruments -Dokumentation für CSD18540Q5BT - Texas Instruments herunter.

PCN -Baugruppe/Herkunft
Assembly/Test Site Transfer 19/Dec/2014.pdf
HTML -Datenblatt
CSD18540Q5B Datasheet.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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