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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelCSD18542KCS
CSD18542KCS Image
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CSD18542KCS - Texas Instruments

Hersteller Artikelnummer
CSD18542KCS
Hersteller
Texas Instruments
Allelco Artikelnummer
32D-CSD18542KCS
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 200A TO220-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
CSD18542KCS.pdf
RoHS Status
vorrätig: 38461

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Spezifikation

CSD18542KCS Tech -Spezifikationen
Texas Instruments - CSD18542KCS Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments - CSD18542KCS

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Texas Instruments  
VGS (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3  
Serie NexFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 44mOhm @ 100A, 10V  
Verlustleistung (max) 200W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5070 pF @ 30 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 57 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 200A (Ta)  
Grundproduktnummer CSD18542  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Texas Instruments CSD18542KCS.

Produkteigenschaften CSD18542KCS CSD18542KTT CSD18537NQ5A CSD19501KCS
Artikelnummer CSD18542KCS CSD18542KTT CSD18537NQ5A CSD19501KCS
Hersteller Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Paket Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Serie NexFET™ NexFET™ NexFET™ NexFET™
Verlustleistung (max) 200W (Tc) 250W (Tc) 3.2W (Ta), 75W (Tc) 217W (Tc)
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3 DDPAK/TO-263-3 8-VSONP (5x6) TO-220-3
Befestigungsart Through Hole Surface Mount Surface Mount Through Hole
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA 8-PowerTDFN TO-220-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 44mOhm @ 100A, 10V 4mOhm @ 100A, 10V 13mOhm @ 12A, 10V 6.6mOhm @ 60A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 57 nC @ 10 V 57 nC @ 10 V 18 nC @ 10 V 50 nC @ 10 V
Grundproduktnummer CSD18542 CSD18542 CSD18537 CSD19501
VGS (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA 2.2V @ 250µA 3.5V @ 250µA 3.2V @ 250µA
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 200A (Ta) 200A (Ta) 50A (Tc) 100A (Ta)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5070 pF @ 30 V 5070 pF @ 30 V 1480 pF @ 30 V 3980 pF @ 40 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 60 V 60 V 80 V
FET-Merkmal - - - -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 6V, 10V 6V, 10V

CSD18542KCS Datenblatt PDF

Laden Sie CSD18542KCS PDF -Datenblätter und Texas Instruments -Dokumentation für CSD18542KCS - Texas Instruments herunter.

PCN -Baugruppe/Herkunft
Site Chg 04/Dec/2015.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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Texas Instruments
32D-CSD18542KCS

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