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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelCSD23381F4T
Texas Instruments
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

CSD23381F4T - Texas Instruments

Hersteller Artikelnummer
CSD23381F4T
Hersteller
Texas Instruments
Allelco Artikelnummer
32D-CSD23381F4T
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 12V 2.3A 3PICOSTAR
detaillierte Beschreibung
Verpackung
3-XFDFN
Datenblatt
CSD23381F4T.pdf
RoHS Status
vorrätig: 45440

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Anzahl

Spezifikation

CSD23381F4T Tech -Spezifikationen
Texas Instruments - CSD23381F4T Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments - CSD23381F4T

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Texas Instruments  
VGS (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA  
Vgs (Max) -8V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 3-PICOSTAR  
Serie FemtoFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 175mOhm @ 500mA, 4.5V  
Verlustleistung (max) 500mW (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 3-XFDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 236 pF @ 6 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.14 nC @ 6 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 12 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.3A (Ta)  
Grundproduktnummer CSD23381  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Texas Instruments CSD23381F4T.

Produkteigenschaften CSD23381F4T CSD23203W CSD23280F3 CSD23202W10T
Artikelnummer CSD23381F4T CSD23203W CSD23280F3 CSD23202W10T
Hersteller Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments
Grundproduktnummer CSD23381 CSD23203 CSD23280 CSD23202
VGS (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA 1.1V @ 250µA 950mV @ 250µA 900mV @ 250µA
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V 1.8V, 4.5V 1.5V, 4.5V 1.5V, 4.5V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 236 pF @ 6 V 914 pF @ 4 V 234 pF @ 6 V 512 pF @ 6 V
FET-Merkmal - - - -
Typ FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Verpackung / Gehäuse 3-XFDFN 6-UFBGA, DSBGA 3-XFDFN 4-UFBGA, DSBGA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 175mOhm @ 500mA, 4.5V 19.4mOhm @ 1.5A, 4.5V 116mOhm @ 400mA, 4.5V 53mOhm @ 500mA, 4.5V
Serie FemtoFET™ NexFET™ FemtoFET™ NexFET™
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.3A (Ta) 3A (Ta) 1.8A (Ta) 2.2A (Ta)
Supplier Device-Gehäuse 3-PICOSTAR 6-DSBGA (1x1.5) 3-PICOSTAR 4-DSBGA (1x1)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.14 nC @ 6 V 6.3 nC @ 4.5 V 1.23 nC @ 4.5 V 3.8 nC @ 4.5 V
Vgs (Max) -8V -6V -6V -6V
Verlustleistung (max) 500mW (Ta) 750mW (Ta) 500mW (Ta) 1W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 12 V 8 V 12 V 12 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

CSD23381F4T Datenblatt PDF

Laden Sie CSD23381F4T PDF -Datenblätter und Texas Instruments -Dokumentation für CSD23381F4T - Texas Instruments herunter.

PCN -Design/Spezifikation
CSDx 15/Mar/2022.pdf DSBGA/Usip 14/Sep/2016.pdf
PCN -Verpackung
Carrier Tape 28/Aug/2018.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Assembly/Test Site Transfer 19/Dec/2014.pdf

Lieferung

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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