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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelCSD23203W
CSD23203W Image
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CSD23203W - Texas Instruments

Hersteller Artikelnummer
CSD23203W
Hersteller
Texas Instruments
Allelco Artikelnummer
32D-CSD23203W
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 8V 3A 6DSBGA
detaillierte Beschreibung
Verpackung
6-UFBGA, DSBGA
Datenblatt
CSD23203W.pdf
RoHS Status
vorrätig: 246200

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Anzahl

Spezifikation

CSD23203W Tech -Spezifikationen
Texas Instruments - CSD23203W Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments - CSD23203W

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Texas Instruments  
VGS (th) (Max) @ Id 1.1V @ 250µA  
Vgs (Max) -6V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 6-DSBGA (1x1.5)  
Serie NexFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 19.4mOhm @ 1.5A, 4.5V  
Verlustleistung (max) 750mW (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 6-UFBGA, DSBGA  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 914 pF @ 4 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.3 nC @ 4.5 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 8 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3A (Ta)  
Grundproduktnummer CSD23203  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Texas Instruments CSD23203W.

Produkteigenschaften CSD23203W CSD23201W10 CSD22205L CSD23285F5
Artikelnummer CSD23203W CSD23201W10 CSD22205L CSD23285F5
Hersteller Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments
Rds On (Max) @ Id, Vgs 19.4mOhm @ 1.5A, 4.5V 82mOhm @ 500mA, 4.5V 9.9mOhm @ 1A, 4.5V 35mOhm @ 1A, 4.5V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Verlustleistung (max) 750mW (Ta) 1W (Ta) 600mW (Ta) 500mW (Ta)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Typ FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (Max) -6V -6V -6V -6V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 8 V 12 V 8 V 12 V
Supplier Device-Gehäuse 6-DSBGA (1x1.5) 4-DSBGA (1x1) 4-PICOSTAR 3-PICOSTAR
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.3 nC @ 4.5 V 2.4 nC @ 4.5 V 8.5 nC @ 4.5 V 4.2 nC @ 4.5 V
VGS (th) (Max) @ Id 1.1V @ 250µA 1V @ 250µA 1.05V @ 250µA 950mV @ 250µA
Verpackung / Gehäuse 6-UFBGA, DSBGA 4-UFBGA, DSBGA 4-XFLGA 3-XFDFN
FET-Merkmal - - - -
Grundproduktnummer CSD23203 CSD232 CSD22205 CSD23285
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 914 pF @ 4 V 325 pF @ 6 V 1390 pF @ 4 V 628 pF @ 6 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V 1.5V, 4.5V 1.5V, 4.5V 1.5V, 4.5V
Serie NexFET™ NexFET™ NexFET™ FemtoFET™
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3A (Ta) 2.2A (Tc) 7.4A (Ta) 5.4A (Ta)

CSD23203W Datenblatt PDF

Laden Sie CSD23203W PDF -Datenblätter und Texas Instruments -Dokumentation für CSD23203W - Texas Instruments herunter.

PCN -Verpackung
Carrier Tape 28/Aug/2018.pdf
PCN -Design/Spezifikation
DSBGA/Usip 14/Sep/2016.pdf DSBGA/uSIP 22/Jun/2016.pdf

Lieferung

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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CSD23203W

Texas Instruments
32D-CSD23203W

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