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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysCSD87502Q2
Texas Instruments
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

CSD87502Q2 - Texas Instruments

Hersteller Artikelnummer
CSD87502Q2
Hersteller
Texas Instruments
Allelco Artikelnummer
32D-CSD87502Q2
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N-CH 30V 5A 6WSON
detaillierte Beschreibung
Verpackung
6-WDFN Exposed Pad
Datenblatt
CSD87502Q2.pdf
RoHS Status
vorrätig: 121150

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Anzahl

Spezifikation

CSD87502Q2 Tech -Spezifikationen
Texas Instruments - CSD87502Q2 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments - CSD87502Q2

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Texas Instruments  
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 6-WSON (2x2)  
Serie NexFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 32.4mOhm @ 4A, 10V  
Leistung - max 2.3W  
Verpackung / Gehäuse 6-WDFN Exposed Pad  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 353pF @ 15V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6nC @ 10V  
FET-Merkmal -  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5A  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer CSD87502  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Texas Instruments CSD87502Q2.

Produkteigenschaften CSD87502Q2 CSD87501L CSD87355Q5D CSD87381PT
Artikelnummer CSD87502Q2 CSD87501L CSD87355Q5D CSD87381PT
Hersteller Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Serie NexFET™ NexFET™ NexFET™ NexFET™
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Supplier Device-Gehäuse 6-WSON (2x2) 10-Picostar (3.37x1.47) 8-LSON (5x6) 5-PTAB (3x2.5)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6nC @ 10V 40nC @ 10V 13.7nC @ 4.5V 5nC @ 4.5V
FET-Merkmal - Logic Level Gate - Logic Level Gate
Verpackung / Gehäuse 6-WDFN Exposed Pad 10-XFLGA 8-PowerLDFN 5-LGA
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 353pF @ 15V - 1860pF @ 15V 564pF @ 15V
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 2.3V @ 250µA 1.9V @ 250µA 1.9V @ 250µA
Grundproduktnummer CSD87502 CSD87501 CSD87355Q5 CSD87381
Rds On (Max) @ Id, Vgs 32.4mOhm @ 4A, 10V - - 16.3mOhm @ 8A, 8V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5A - - 15A
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) Common Drain 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 2 N-Channel (Half Bridge)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V - 30V 30V
Leistung - max 2.3W 2.5W 12W 4W
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

CSD87502Q2 Datenblatt PDF

Laden Sie CSD87502Q2 PDF -Datenblätter und Texas Instruments -Dokumentation für CSD87502Q2 - Texas Instruments herunter.

PCN -Baugruppe/Herkunft
CSDYYY 01/Feb/2019.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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