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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysCSD88537ND
CSD88537ND Image
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CSD88537ND - Texas Instruments

Hersteller Artikelnummer
CSD88537ND
Hersteller
Texas Instruments
Allelco Artikelnummer
32D-CSD88537ND
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
CSD88537ND.pdf
RoHS Status
vorrätig: 59510

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Anzahl

Spezifikation

CSD88537ND Tech -Spezifikationen
Texas Instruments - CSD88537ND Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments - CSD88537ND

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Texas Instruments  
VGS (th) (Max) @ Id 3.6V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC  
Serie NexFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15mOhm @ 8A, 10V  
Leistung - max 2.1W  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1400pF @ 30V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 10V  
FET-Merkmal -  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 15A  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer CSD88537  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Texas Instruments CSD88537ND.

Produkteigenschaften CSD88537ND CSD88539NDT CSD87503Q3E CSD87501L
Artikelnummer CSD88537ND CSD88539NDT CSD87503Q3E CSD87501L
Hersteller Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments
Grundproduktnummer CSD88537 CSD88539 CSD87503 CSD87501
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15mOhm @ 8A, 10V 28mOhm @ 5A, 10V 13.5mOhm @ 6A, 10V -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) Common Source 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 15A 15A 10A (Ta) -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Leistung - max 2.1W 2.1W 15.6W 2.5W
Serie NexFET™ NexFET™ NexFET™ NexFET™
FET-Merkmal - Logic Level Gate - Logic Level Gate
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1400pF @ 30V 741pF @ 30V 1020pF @ 15V -
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC 8-SOIC 8-VSON (3.3x3.3) 10-Picostar (3.37x1.47)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60V 60V 30V -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 10V 9.4nC @ 10V 17.4nC @ 4.5V 40nC @ 10V
VGS (th) (Max) @ Id 3.6V @ 250µA 3.6V @ 250µA 2.1V @ 250µA 2.3V @ 250µA
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-PowerVDFN 10-XFLGA

CSD88537ND Datenblatt PDF

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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