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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelTPS1101DRG4
Texas Instruments
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

TPS1101DRG4 - Texas Instruments

Hersteller Artikelnummer
TPS1101DRG4
Hersteller
Texas Instruments
Allelco Artikelnummer
32D-TPS1101DRG4
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
TPS1101DRG4.pdf
RoHS Status
Bleifrei / RoHS-konform
vorrätig: 32931

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Spezifikation

TPS1101DRG4 Tech -Spezifikationen
Texas Instruments - TPS1101DRG4 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments - TPS1101DRG4

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Texas Instruments  
VGS (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA  
Vgs (Max) +2V, -15V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90 mOhm @ 2.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 791mW (Ta)  
Verpackung Tape & Reel (TR)  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Befestigungsart Surface Mount  
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)  
Hersteller Standard Vorlaufzeit 28 Weeks  
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11.25nC @ 10V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.7V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 15V  
detaillierte Beschreibung P-Channel 15V 2.3A (Ta) 791mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.3A (Ta)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Texas Instruments TPS1101DRG4.

Produkteigenschaften TPS1101DRG4 TPS1100DR TPS1101DR TPS1100PWR
Artikelnummer TPS1101DRG4 TPS1100DR TPS1101DR TPS1100PWR
Hersteller Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments
FET-Merkmal - - - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 15V 15 V 15 V 15 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.7V, 10V 2.7V, 10V 2.7V, 10V 2.7V, 10V
detaillierte Beschreibung P-Channel 15V 2.3A (Ta) 791mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC - - -
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 8-TSSOP
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited) - - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
VGS (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 28 Weeks - - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.3A (Ta) 1.6A (Ta) 2.3A (Ta) 1.27A (Ta)
Typ FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Serie - - - -
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Verlustleistung (max) 791mW (Ta) 791mW (Ta) 791mW (Ta) 504mW (Ta)
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90 mOhm @ 2.5A, 10V 180mOhm @ 1.5A, 10V 90mOhm @ 2.5A, 10V 180mOhm @ 1.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11.25nC @ 10V 5.45 nC @ 10 V 11.25 nC @ 10 V 5.45 nC @ 10 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (Max) +2V, -15V +2V, -15V +2V, -15V +2V, -15V
Verpackung Tape & Reel (TR) - - -

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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