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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysTPS1120DR
TPS1120DR Image
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TPS1120DR - Texas Instruments

Hersteller Artikelnummer
TPS1120DR
Hersteller
Texas Instruments
Allelco Artikelnummer
32D-TPS1120DR
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
TPS1120DR.pdf
RoHS Status
vorrätig: 43714

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Anzahl

Spezifikation

TPS1120DR Tech -Spezifikationen
Texas Instruments - TPS1120DR Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments - TPS1120DR

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Texas Instruments  
VGS (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 180mOhm @ 1.5A, 10V  
Leistung - max 840mW  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds -  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.45nC @ 10V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 15V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1.17A  
Konfiguration 2 P-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer TPS1120  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Texas Instruments TPS1120DR.

Produkteigenschaften TPS1120DR TPS1H200AQDGNRQ1 TPS16630RGER TPS1191RB-2-TR
Artikelnummer TPS1120DR TPS1H200AQDGNRQ1 TPS16630RGER TPS1191RB-2-TR
Hersteller Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments Stanley Electric Co
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Exposed Pad 24-VFQFN Exposed Pad 1206 (3216 Metric)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1.17A - - -
VGS (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA - - -
Leistung - max 840mW - - 75 mW
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds - - - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 15V - - -
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC 8-HVSSOP 24-VQFN (4x4) -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 125°C -40°C ~ 125°C (TJ) -30°C ~ 85°C
Rds On (Max) @ Id, Vgs 180mOhm @ 1.5A, 10V - - -
Konfiguration 2 P-Channel (Dual) - - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) - - -
FET-Merkmal Logic Level Gate - - -
Grundproduktnummer TPS1120 TPS1H200 TPS16630 TPS1191
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.45nC @ 10V - - -
Serie - Automotive, AEC-Q100 - -
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

TPS1120DR Datenblatt PDF

Laden Sie TPS1120DR PDF -Datenblätter und Texas Instruments -Dokumentation für TPS1120DR - Texas Instruments herunter.

PCN -Design/Spezifikation
Design 25/Feb/2022.pdf

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Kontaktieren Sie uns, wenn Sie Fragen haben.

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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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TPS1120DR

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32D-TPS1120DR

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