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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelAPT13F120B
Microchip Technology
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APT13F120B - Microchip Technology

Hersteller Artikelnummer
APT13F120B
Hersteller
Microchip Technology
Allelco Artikelnummer
32D-APT13F120B
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 1200V 14A TO247
Verpackung
TO-247-3
Datenblatt
Power Products Catalog.pdf
RoHS Status
Unsere Zertifizierung
vorrätig: 3547

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Spezifikation

APT13F120B Tech -Spezifikationen
Microchip Technology - APT13F120B Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Microchip Technology - APT13F120B

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Microchip Technology  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 1mA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-247 [B]  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4Ohm @ 7A, 10V  
Verlustleistung (max) 625W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4765 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 145 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1200 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 14A (Tc)  
Grundproduktnummer APT13F120  

Umwelt- und Exportklassifikationen

ATTRIBUT BESCHREIBUNG
RoHS Status
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) 1 (Unlimited)
Status erreichen REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Microchip Technology APT13F120B.

Produkteigenschaften APT13F120B APT14M100B APT14050JVFR APT13005STF-G1
Artikelnummer APT13F120B APT14M100B APT14050JVFR APT13005STF-G1
Hersteller Microchip Technology Microchip Technology Microsemi Corporation Diodes Incorporated
Befestigungsart Through Hole Through Hole Chassis Mount Through Hole
Supplier Device-Gehäuse TO-247 [B] TO-247 [B] ISOTOP® ITO-220AB
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4Ohm @ 7A, 10V 900mOhm @ 7A, 10V 500mOhm @ 11.5A, 10V -
Verlustleistung (max) 625W (Tc) 500W (Tc) 694W (Tc) -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 145 nC @ 10 V 120 nC @ 10 V 820 nC @ 10 V -
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 TO-247-3 SOT-227-4, miniBLOC TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4765 pF @ 25 V 3965 pF @ 25 V 13500 pF @ 25 V -
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 1mA 5V @ 1mA 4V @ 5mA -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -65°C ~ 150°C (TJ)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 14A (Tc) 14A (Tc) 23A (Tc) -
Serie - POWER MOS 8™ POWER MOS V® -
Grundproduktnummer APT13F120 APT14M100 - APT13005
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Paket Tube Tube Tube Tube
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1200 V 1000 V 1400 V -
FET-Merkmal - - - -

APT13F120B Datenblatt PDF

Laden Sie APT13F120B PDF -Datenblätter und Microchip Technology -Dokumentation für APT13F120B - Microchip Technology herunter.

Umweltinformationen
Microchip CA Prop65.pdf Microchip REACH.pdf Microchip RoHS.pdf
PCN Andere
Integration 13/May/2020.pdf
HTML -Datenblatt
Power Products Catalog.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Fab Site 27/Jul/2022.pdf

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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  1. Telefon
    +00852 9146 4856

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