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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelAPT14050JVFR
APT14050JVFR Image
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APT14050JVFR - Microsemi Corporation

Hersteller Artikelnummer
APT14050JVFR
Hersteller
Microsemi
Allelco Artikelnummer
32D-APT14050JVFR
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 1400V 23A ISOTOP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SOT-227-4, miniBLOC
Datenblatt
APT14050JVFR.pdf
vorrätig: 3920

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Spezifikation

APT14050JVFR Tech -Spezifikationen
Microsemi Corporation - APT14050JVFR Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Microsemi Corporation - APT14050JVFR

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Microsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 5mA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse ISOTOP®  
Serie POWER MOS V®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 500mOhm @ 11.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 694W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse SOT-227-4, miniBLOC  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Chassis Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 13500 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 820 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1400 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 23A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Microsemi Corporation APT14050JVFR.

Produkteigenschaften APT14050JVFR APT14M100B APT13F120B APT14M120B
Artikelnummer APT14050JVFR APT14M100B APT13F120B APT14M120B
Hersteller Microsemi Corporation Microchip Technology Microchip Technology Microchip Technology
Paket Tube Tube Tube Tube
Rds On (Max) @ Id, Vgs 500mOhm @ 11.5A, 10V 900mOhm @ 7A, 10V 1.4Ohm @ 7A, 10V 1.2Ohm @ 7A, 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 13500 pF @ 25 V 3965 pF @ 25 V 4765 pF @ 25 V 4765 pF @ 25 V
Supplier Device-Gehäuse ISOTOP® TO-247 [B] TO-247 [B] TO-247 [B]
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 5mA 5V @ 1mA 5V @ 1mA 5V @ 1mA
Verpackung / Gehäuse SOT-227-4, miniBLOC TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
FET-Merkmal - - - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 23A (Tc) 14A (Tc) 14A (Tc) 14A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Serie POWER MOS V® POWER MOS 8™ - -
Befestigungsart Chassis Mount Through Hole Through Hole Through Hole
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1400 V 1000 V 1200 V 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 820 nC @ 10 V 120 nC @ 10 V 145 nC @ 10 V 145 nC @ 10 V
Verlustleistung (max) 694W (Tc) 500W (Tc) 625W (Tc) 625W (Tc)

APT14050JVFR Datenblatt PDF

Laden Sie APT14050JVFR PDF -Datenblätter und Microsemi Corporation -Dokumentation für APT14050JVFR - Microsemi Corporation herunter.

Umweltinformationen
Microchip CA Prop65.pdf Microchip REACH.pdf Microchip RoHS.pdf
Datenblätter
APT14050JVFR.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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