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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelDN3535N8-G
DN3535N8-G Image
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DN3535N8-G - Microchip Technology

Hersteller Artikelnummer
DN3535N8-G
Hersteller
Microchip Technology
Allelco Artikelnummer
32D-DN3535N8-G
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 350V 230MA TO243AA
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-243AA
Datenblatt
DN3535N8-G.pdf
RoHS Status
vorrätig: 70800

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Anzahl

Spezifikation

DN3535N8-G Tech -Spezifikationen
Microchip Technology - DN3535N8-G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Microchip Technology - DN3535N8-G

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Microchip Technology  
VGS (th) (Max) @ Id -  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-243AA (SOT-89)  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10Ohm @ 150mA, 0V  
Verlustleistung (max) 1.6W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse TO-243AA  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 360 pF @ 25 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal Depletion Mode  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 0V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 350 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 230mA (Tj)  
Grundproduktnummer DN3535  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Microchip Technology DN3535N8-G.

Produkteigenschaften DN3535N8-G DN3135N8-G AUIRF1010EZS BUK9Y19-55B/C2,115
Artikelnummer DN3535N8-G DN3135N8-G AUIRF1010EZS BUK9Y19-55B/C2,115
Hersteller Microchip Technology Microchip Technology Infineon Technologies Nexperia USA Inc.
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 230mA (Tj) 135mA (Tj) 75A (Tc) 46A
Drain-Source-Spannung (Vdss) 350 V 350 V 60 V 55 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Verlustleistung (max) 1.6W (Ta) 1.3W (Ta) 140W (Tc) -
FET-Merkmal Depletion Mode Depletion Mode - -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Serie - - HEXFET® TrenchMOS™
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V -
Supplier Device-Gehäuse TO-243AA (SOT-89) TO-243AA (SOT-89) PG-TO263-3 LFPAK56, Power-SO8
Grundproduktnummer DN3535 DN3135 - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10Ohm @ 150mA, 0V 35Ohm @ 150mA, 0V 8.5mOhm @ 51A, 10V 17.3mOhm @ 20A, 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 360 pF @ 25 V 120 pF @ 25 V 2810 pF @ 25 V 1992 pF @ 25 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verpackung / Gehäuse TO-243AA TO-243AA TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB SC-100, SOT-669
VGS (th) (Max) @ Id - - 4V @ 250µA 2V @ 1mA
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 0V 0V 10V -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)

DN3535N8-G Datenblatt PDF

Laden Sie DN3535N8-G PDF -Datenblätter und Microchip Technology -Dokumentation für DN3535N8-G - Microchip Technology herunter.

PCN -Verpackung
Label and Packing Changes 23/Sep/2015.pdf Packing Changes 10/Oct/2016.pdf
Umweltinformationen
Microchip CA Prop65.pdf Microchip REACH.pdf Microchip RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Die Attach Material Update 26/Aug/2015.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Fab Site Revision 07/Apr/2015.pdf

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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