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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelDN3545N3-G
DN3545N3-G Image
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DN3545N3-G - Microchip Technology

Hersteller Artikelnummer
DN3545N3-G
Hersteller
Microchip Technology
Allelco Artikelnummer
32D-DN3545N3-G
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 450V 136MA TO92
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Datenblatt
DN3545.pdf
RoHS Status
vorrätig: 65010

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Spezifikation

DN3545N3-G Tech -Spezifikationen
Microchip Technology - DN3545N3-G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Microchip Technology - DN3545N3-G

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Microchip Technology  
VGS (th) (Max) @ Id -  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-92 (TO-226)  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20Ohm @ 150mA, 0V  
Verlustleistung (max) 740mW (Ta)  
Verpackung / Gehäuse TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)  
Paket Bag  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 360 pF @ 25 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal Depletion Mode  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 0V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 450 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 136mA (Ta)  
Grundproduktnummer DN3545  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Microchip Technology DN3545N3-G.

Produkteigenschaften DN3545N3-G DN3535N8-G DN3545N8-G IPA045N10N3GXKSA1
Artikelnummer DN3545N3-G DN3535N8-G DN3545N8-G IPA045N10N3GXKSA1
Hersteller Microchip Technology Microchip Technology Microchip Technology Infineon Technologies
Verpackung / Gehäuse TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) TO-243AA TO-243AA TO-220-3 Full Pack
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20Ohm @ 150mA, 0V 10Ohm @ 150mA, 0V 20Ohm @ 150mA, 0V 4.5mOhm @ 64A, 10V
Befestigungsart Through Hole Surface Mount Surface Mount Through Hole
FET-Merkmal Depletion Mode Depletion Mode Depletion Mode -
Serie - - - OptiMOS™
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Grundproduktnummer DN3545 DN3535 DN3545 IPA045
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 0V 0V 0V 6V, 10V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Supplier Device-Gehäuse TO-92 (TO-226) TO-243AA (SOT-89) TO-243AA (SOT-89) PG-TO220-FP
Verlustleistung (max) 740mW (Ta) 1.6W (Ta) 1.6W (Ta) 39W (Tc)
Paket Bag Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 360 pF @ 25 V 360 pF @ 25 V 360 pF @ 25 V 8410 pF @ 50 V
VGS (th) (Max) @ Id - - - 3.5V @ 150µA
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 136mA (Ta) 230mA (Tj) 200mA (Ta) 64A (Tc)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 450 V 350 V 450 V 100 V

DN3545N3-G Datenblatt PDF

Laden Sie DN3545N3-G PDF -Datenblätter und Microchip Technology -Dokumentation für DN3545N3-G - Microchip Technology herunter.

PCN -Verpackung
Label and Packing Changes 23/Sep/2015.pdf
Umweltinformationen
Microchip CA Prop65.pdf Microchip REACH.pdf Microchip RoHS.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
New Mold Compound 16/May/2022.pdf
Datenblätter
DN3545.pdf
PCN -Design/Spezifikation
DN3545 23/Apr/2018.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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