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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-EinzelJANTX2N6650
Microchip Technology
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JANTX2N6650 - Microchip Technology

Hersteller Artikelnummer
JANTX2N6650
Hersteller
Microchip Technology
Allelco Artikelnummer
32D-JANTX2N6650
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS PNP DARL 80V 10A TO204AA
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-204AA, TO-3
Datenblatt
JANTX2N6650.pdf
vorrätig: 5470

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Anzahl

Spezifikation

JANTX2N6650 Tech -Spezifikationen
Microchip Technology - JANTX2N6650 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Microchip Technology - JANTX2N6650

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Microchip Technology  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 80 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 3V @ 100µA, 10A  
Transistor-Typ PNP - Darlington  
Supplier Device-Gehäuse TO-204AA (TO-3)  
Serie Military, MIL-PRF-19500/527  
Leistung - max 5 W  
Verpackung / Gehäuse TO-204AA, TO-3  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Bulk  
Betriebstemperatur -65°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Frequenz - Übergang -  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 1000 @ 5A, 3V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 1mA  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 10 A  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Microchip Technology JANTX2N6650.

Produkteigenschaften JANTX2N6650 JANTX2N6352 JANTX2N6284 JANTX2N6058
Artikelnummer JANTX2N6650 JANTX2N6352 JANTX2N6284 JANTX2N6058
Hersteller Microchip Technology Microchip Technology MACOM Technology Solutions Microchip Technology
Strom - Kollektor (Ic) (max) 10 A 5 A 20 A 12 A
Serie Military, MIL-PRF-19500/527 Military, MIL-PRF-19500/472 Military, MIL-PRF-19500/504 Military, MIL-PRF-19500/502
Paket Bulk Bulk Bulk Bulk
Verpackung / Gehäuse TO-204AA, TO-3 TO-213AA, TO-66-2 TO-204AA, TO-3 TO-204AA, TO-3
Frequenz - Übergang - - - -
Strom - Collector Cutoff (Max) 1mA - 1mA 1mA
Supplier Device-Gehäuse TO-204AA (TO-3) TO-66 (TO-213AA) TO-204AA (TO-3) TO-3
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 80 V 80 V 100 V 80 V
Leistung - max 5 W 2 W 175 W 150 W
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 3V @ 100µA, 10A 1.5V @ 5mA, 5A 3V @ 200mA, 20A 3V @ 120mA, 12A
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 1000 @ 5A, 3V 2000 @ 5A, 5V 1250 @ 10A, 3V 1000 @ 6A, 3V
Transistor-Typ PNP - Darlington NPN - Darlington NPN - Darlington NPN - Darlington
Betriebstemperatur -65°C ~ 175°C (TJ) -65°C ~ 200°C (TJ) -65°C ~ 200°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)

JANTX2N6650 Datenblatt PDF

Laden Sie JANTX2N6650 PDF -Datenblätter und Microchip Technology -Dokumentation für JANTX2N6650 - Microchip Technology herunter.

Umweltinformationen
Microchip CA Prop65.pdf Microchip REACH.pdf Microchip RoHS.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Manufacturing Change 23/Feb/2021.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Kontaktieren Sie uns, wenn Sie Fragen haben.

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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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