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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelJANTX2N6764
Microsemi Corporation
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

JANTX2N6764 - Microsemi Corporation

Hersteller Artikelnummer
JANTX2N6764
Hersteller
Microsemi
Allelco Artikelnummer
32D-JANTX2N6764
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 38A TO3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-204AE
Datenblatt
JANTX2N6764.pdf
vorrätig: 3910

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Spezifikation

JANTX2N6764 Tech -Spezifikationen
Microsemi Corporation - JANTX2N6764 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Microsemi Corporation - JANTX2N6764

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Microsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-3  
Serie Military, MIL-PRF-19500/543  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 65mOhm @ 38A, 10V  
Verlustleistung (max) 4W (Ta), 150W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-204AE  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Bulk  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 125 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 38A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Microsemi Corporation JANTX2N6764.

Produkteigenschaften JANTX2N6764 JANTX2N6766 JANTX2N6756 JANTX2N6788
Artikelnummer JANTX2N6764 JANTX2N6766 JANTX2N6756 JANTX2N6788
Hersteller Microsemi Corporation Microsemi Corporation Microsemi Corporation Microsemi Corporation
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 200 V 100 V 100 V
Verlustleistung (max) 4W (Ta), 150W (Tc) 4W (Ta), 150W (Tc) 4W (Ta), 75W (Tc) 800mW (Tc)
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 38A (Tc) 30A (Tc) 14A (Tc) 6A (Tc)
Serie Military, MIL-PRF-19500/543 Military, MIL-PRF-19500/543 Military, MIL-PRF-19500/542 Military, MIL-PRF-19500/555
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
FET-Merkmal - - - -
Paket Bulk Bulk Bulk Bulk
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse TO-3 TO-3 TO-204AA TO-39
Rds On (Max) @ Id, Vgs 65mOhm @ 38A, 10V 90mOhm @ 30A, 10V 210mOhm @ 14A, 10V 350mOhm @ 6A, 10V
Verpackung / Gehäuse TO-204AE TO-204AE TO-204AA, TO-3 TO-205AF Metal Can
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 125 nC @ 10 V 115 nC @ 10 V 35 nC @ 10 V 18 nC @ 10 V

JANTX2N6764 Datenblatt PDF

Laden Sie JANTX2N6764 PDF -Datenblätter und Microsemi Corporation -Dokumentation für JANTX2N6764 - Microsemi Corporation herunter.

Umweltinformationen
Microchip CA Prop65.pdf Microchip REACH.pdf Microchip RoHS.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Last Time Buy Revision 08/Jul/2015.pdf Multiple Devices 12/Jun/2015.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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