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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-EinzelJANTXV2N3998
Microchip Technology
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JANTXV2N3998 - Microchip Technology

Hersteller Artikelnummer
JANTXV2N3998
Hersteller
Microchip Technology
Allelco Artikelnummer
32D-JANTXV2N3998
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS NPN 80V 10A TO59
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-210AA, TO-59-4, Stud
Datenblatt
JANTXV2N3998.pdf
vorrätig: 222

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Spezifikation

JANTXV2N3998 Tech -Spezifikationen
Microchip Technology - JANTXV2N3998 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Microchip Technology - JANTXV2N3998

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Microchip Technology  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 80 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 2V @ 500mA, 5A  
Transistor-Typ NPN  
Supplier Device-Gehäuse TO-59  
Serie Military, MIL-PRF-19500/374  
Leistung - max 2 W  
Verpackung / Gehäuse TO-210AA, TO-59-4, Stud  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Bulk  
Betriebstemperatur -65°C ~ 200°C (TJ)  
Befestigungsart Stud Mount  
Frequenz - Übergang -  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 40 @ 1A, 2V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 10µA  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 10 A  
Grundproduktnummer 2N3998  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Microchip Technology JANTXV2N3998.

Produkteigenschaften JANTXV2N3998 JANTXV2N3439 JANTXV2N4029 JANTXV2N2907AUB
Artikelnummer JANTXV2N3998 JANTXV2N3439 JANTXV2N4029 JANTXV2N2907AUB
Hersteller Microchip Technology Microchip Technology Microchip Technology Microchip Technology
Strom - Collector Cutoff (Max) 10µA 2µA 10µA (ICBO) 50nA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 80 V 350 V 80 V 60 V
Serie Military, MIL-PRF-19500/374 Military, MIL-PRF-19500/368 Military, MIL-PRF-19500/512 Military, MIL-PRF-19500/291
Supplier Device-Gehäuse TO-59 TO-39 TO-18 UB
Befestigungsart Stud Mount Through Hole Through Hole Surface Mount
Strom - Kollektor (Ic) (max) 10 A 1 A 1 A 600 mA
Betriebstemperatur -65°C ~ 200°C (TJ) -65°C ~ 200°C (TJ) -55°C ~ 200°C (TJ) -65°C ~ 200°C (TJ)
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 2V @ 500mA, 5A 500mV @ 4mA, 50mA 1V @ 100mA, 1A 1.6V @ 50mA, 500mA
Paket Bulk Bulk Bulk Bulk
Verpackung / Gehäuse TO-210AA, TO-59-4, Stud TO-205AD, TO-39-3 Metal Can TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 4-SMD, No Lead
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 40 @ 1A, 2V 40 @ 20mA, 10V 100 @ 100mA, 5V 100 @ 150mA, 10V
Frequenz - Übergang - - - -
Transistor-Typ NPN NPN PNP PNP
Leistung - max 2 W 800 mW 500 mW 500 mW
Grundproduktnummer 2N3998 2N3439 - 2N2907

JANTXV2N3998 Datenblatt PDF

Laden Sie JANTXV2N3998 PDF -Datenblätter und Microchip Technology -Dokumentation für JANTXV2N3998 - Microchip Technology herunter.

Umweltinformationen
Microchip CA Prop65.pdf Microchip REACH.pdf Microchip RoHS.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Manufacturing Change 23/Feb/2021.pdf

Lieferung

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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