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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-EinzelJANTXV2N3999
Microchip Technology
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JANTXV2N3999 - Microchip Technology

Hersteller Artikelnummer
JANTXV2N3999
Hersteller
Microchip Technology
Allelco Artikelnummer
32D-JANTXV2N3999
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS NPN 80V 10A TO59
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-210AA, TO-59-4, Stud
Datenblatt
JANTXV2N3999.pdf
vorrätig: 185

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Spezifikation

JANTXV2N3999 Tech -Spezifikationen
Microchip Technology - JANTXV2N3999 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Microchip Technology - JANTXV2N3999

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Microchip Technology  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 80 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 2V @ 500mA, 5A  
Transistor-Typ NPN  
Supplier Device-Gehäuse TO-59  
Serie Military, MIL-PRF-19500/374  
Leistung - max 2 W  
Verpackung / Gehäuse TO-210AA, TO-59-4, Stud  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Bulk  
Betriebstemperatur -65°C ~ 200°C (TJ)  
Befestigungsart Stud Mount  
Frequenz - Übergang -  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 80 @ 1A, 2V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 10µA  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 10 A  
Grundproduktnummer 2N3999  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Microchip Technology JANTXV2N3999.

Produkteigenschaften JANTXV2N3999 JANTXV2N3439 JANTXV2N3501UB JANTXV2N3700UB
Artikelnummer JANTXV2N3999 JANTXV2N3439 JANTXV2N3501UB JANTXV2N3700UB
Hersteller Microchip Technology Microchip Technology Microchip Technology Microchip Technology
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 2V @ 500mA, 5A 500mV @ 4mA, 50mA 400mV @ 15mA, 150mA 500mV @ 50mA, 500mA
Strom - Collector Cutoff (Max) 10µA 2µA 10µA (ICBO) 10nA
Serie Military, MIL-PRF-19500/374 Military, MIL-PRF-19500/368 Military, MIL-PRF-19500/366 Military, MIL-PRF-19500/391
Strom - Kollektor (Ic) (max) 10 A 1 A 300 mA 1 A
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 80 @ 1A, 2V 40 @ 20mA, 10V 100 @ 150mA, 10V 50 @ 500mA, 10V
Paket Bulk Bulk Bulk Bulk
Supplier Device-Gehäuse TO-59 TO-39 UB 3-UB (2.9x2.2)
Leistung - max 2 W 800 mW 500 mW 500 mW
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 80 V 350 V 150 V 80 V
Transistor-Typ NPN NPN NPN NPN
Frequenz - Übergang - - - -
Verpackung / Gehäuse TO-210AA, TO-59-4, Stud TO-205AD, TO-39-3 Metal Can 3-SMD, No Lead 3-SMD, No Lead
Befestigungsart Stud Mount Through Hole Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperatur -65°C ~ 200°C (TJ) -65°C ~ 200°C (TJ) -65°C ~ 200°C (TJ) -65°C ~ 200°C (TJ)
Grundproduktnummer 2N3999 2N3439 2N3501 2N3700

JANTXV2N3999 Datenblatt PDF

Laden Sie JANTXV2N3999 PDF -Datenblätter und Microchip Technology -Dokumentation für JANTXV2N3999 - Microchip Technology herunter.

Umweltinformationen
Microchip CA Prop65.pdf Microchip REACH.pdf Microchip RoHS.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Manufacturing Change 23/Feb/2021.pdf

Lieferung

Lieferzeit

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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