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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelJANTXV2N6782
Microsemi Corporation
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

JANTXV2N6782 - Microsemi Corporation

Hersteller Artikelnummer
JANTXV2N6782
Hersteller
Microsemi
Allelco Artikelnummer
32D-JANTXV2N6782
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 3.5A TO205AF
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-205AF Metal Can
Datenblatt
JANTXV2N6782.pdf
vorrätig: 4560

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Spezifikation

JANTXV2N6782 Tech -Spezifikationen
Microsemi Corporation - JANTXV2N6782 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Microsemi Corporation - JANTXV2N6782

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Microsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-205AF (TO-39)  
Serie Military, MIL-PRF-19500/556  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 610mOhm @ 3.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 800mW (Ta), 15W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-205AF Metal Can  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Bulk  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.1 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.5A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Microsemi Corporation JANTXV2N6782.

Produkteigenschaften JANTXV2N6782 JANTXV2N7225 JANTXV2N7236 JANTXV2N6798
Artikelnummer JANTXV2N6782 JANTXV2N7225 JANTXV2N7236 JANTXV2N6798
Hersteller Microsemi Corporation Microsemi Corporation Microsemi Corporation Microsemi Corporation
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.5A (Tc) 27.4A (Tc) 18A (Tc) 5.5A (Tc)
Verpackung / Gehäuse TO-205AF Metal Can TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads) TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads) TO-205AF Metal Can
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 200 V 100 V 200 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 610mOhm @ 3.5A, 10V 105mOhm @ 27.4A, 10V 220mOhm @ 18A, 10V 420mOhm @ 5.5A, 10V
Verlustleistung (max) 800mW (Ta), 15W (Tc) 4W (Ta), 150W (Tc) 4W (Ta), 125W (Tc) 800mW (Ta), 25W (Tc)
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
FET-Merkmal - - - -
Serie Military, MIL-PRF-19500/556 Military, MIL-PRF-19500/592 Military, MIL-PRF-19500/595 Military, MIL-PRF-19500/557
Paket Bulk Bulk Bulk Bulk
Typ FET N-Channel N-Channel P-Channel N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.1 nC @ 10 V 115 nC @ 10 V 60 nC @ 10 V 42.07 nC @ 10 V
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Supplier Device-Gehäuse TO-205AF (TO-39) TO-254AA TO-254AA TO-205AF (TO-39)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V

JANTXV2N6782 Datenblatt PDF

Laden Sie JANTXV2N6782 PDF -Datenblätter und Microsemi Corporation -Dokumentation für JANTXV2N6782 - Microsemi Corporation herunter.

Umweltinformationen
Microchip CA Prop65.pdf Microchip REACH.pdf Microchip RoHS.pdf
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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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