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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelJANTXV2N6796
Microsemi Corporation
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

JANTXV2N6796 - Microsemi Corporation

Hersteller Artikelnummer
JANTXV2N6796
Hersteller
Microsemi
Allelco Artikelnummer
32D-JANTXV2N6796
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 8A TO205AF
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-205AF Metal Can
Datenblatt
JANTXV2N6796.pdf
vorrätig: 5490

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Spezifikation

JANTXV2N6796 Tech -Spezifikationen
Microsemi Corporation - JANTXV2N6796 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Microsemi Corporation - JANTXV2N6796

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Microsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-205AF (TO-39)  
Serie Military, MIL-PRF-19500/557  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 195mOhm @ 8A, 10V  
Verlustleistung (max) 800mW (Ta), 25W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-205AF Metal Can  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Bulk  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 28.51 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 8A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Microsemi Corporation JANTXV2N6796.

Produkteigenschaften JANTXV2N6796 JANTXV2N6798 JANTXV2N7236 JANTXV2N6782
Artikelnummer JANTXV2N6796 JANTXV2N6798 JANTXV2N7236 JANTXV2N6782
Hersteller Microsemi Corporation Microsemi Corporation Microsemi Corporation Microsemi Corporation
Verlustleistung (max) 800mW (Ta), 25W (Tc) 800mW (Ta), 25W (Tc) 4W (Ta), 125W (Tc) 800mW (Ta), 15W (Tc)
Verpackung / Gehäuse TO-205AF Metal Can TO-205AF Metal Can TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads) TO-205AF Metal Can
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 200 V 100 V 100 V
Typ FET N-Channel N-Channel P-Channel N-Channel
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 8A (Tc) 5.5A (Tc) 18A (Tc) 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 195mOhm @ 8A, 10V 420mOhm @ 5.5A, 10V 220mOhm @ 18A, 10V 610mOhm @ 3.5A, 10V
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Serie Military, MIL-PRF-19500/557 Military, MIL-PRF-19500/557 Military, MIL-PRF-19500/595 Military, MIL-PRF-19500/556
Supplier Device-Gehäuse TO-205AF (TO-39) TO-205AF (TO-39) TO-254AA TO-205AF (TO-39)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 28.51 nC @ 10 V 42.07 nC @ 10 V 60 nC @ 10 V 8.1 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
FET-Merkmal - - - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Paket Bulk Bulk Bulk Bulk

JANTXV2N6796 Datenblatt PDF

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Umweltinformationen
Microchip CA Prop65.pdf Microchip REACH.pdf Microchip RoHS.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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