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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-RFMRF5812R1
MRF5812R1 Image
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MRF5812R1 - Microsemi Corporation

Hersteller Artikelnummer
MRF5812R1
Hersteller
Microsemi
Allelco Artikelnummer
32D-MRF5812R1
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
RF TRANS NPN 15V 5GHZ 8SO
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
MRF5812R1.pdf
vorrätig: 3730

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Anzahl

Spezifikation

MRF5812R1 Tech -Spezifikationen
Microsemi Corporation - MRF5812R1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Microsemi Corporation - MRF5812R1

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Microsemi  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 15V  
Transistor-Typ NPN  
Supplier Device-Gehäuse 8-SO  
Serie -  
Leistung - max 1.25W  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -  
Rauschzahl (dB Typ @ f) 2dB ~ 3dB @ 500MHz  
Befestigungsart Surface Mount  
Gewinnen 13dB ~ 15.5dB  
Frequenz - Übergang 5GHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 50 @ 50mA, 5V  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 200mA  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Microsemi Corporation MRF5812R1.

Produkteigenschaften MRF5812R1 MRF581 MRF581G MRF5812R2
Artikelnummer MRF5812R1 MRF581 MRF581G MRF5812R2
Hersteller Microsemi Corporation Microsemi Corporation Microsemi Corporation Microsemi Corporation
Gewinnen 13dB ~ 15.5dB 13dB ~ 15.5dB 13dB ~ 15.5dB 2dB @ 500MHz
Transistor-Typ NPN NPN NPN -
Leistung - max 1.25W 1.25W 1.25W 1.25W
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 50 @ 50mA, 5V 50 @ 50mA, 5V 50 @ 50mA, 5V -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Strom - Kollektor (Ic) (max) 200mA 200mA 200mA NPN
Betriebstemperatur - 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Frequenz - Übergang 5GHz 5GHz 5GHz 50 @ 50mA, 5V
Serie - - - -
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Micro-X ceramic (84C) Micro-X ceramic (84C) -
Rauschzahl (dB Typ @ f) 2dB ~ 3dB @ 500MHz 3dB ~ 3.5dB @ 500MHz 3dB ~ 3.5dB @ 500MHz -
Paket Tape & Reel (TR) Bulk Bulk -
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 15V 18V 18V 200mA
Supplier Device-Gehäuse 8-SO Micro-X ceramic (84C) Micro-X ceramic (84C) -

MRF5812R1 Datenblatt PDF

Laden Sie MRF5812R1 PDF -Datenblätter und Microsemi Corporation -Dokumentation für MRF5812R1 - Microsemi Corporation herunter.

Umweltinformationen
Microchip CA Prop65.pdf Microchip REACH.pdf Microchip RoHS.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
B0YY 02/Jul/2013.pdf

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(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

  1. Globale gemeinsame Versand von DHL / UPS / FEDEX / TNT / EMS / SF, die wir unterstützen.
  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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    +00852 9146 4856

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MRF5812R1

Microsemi Corporation
32D-MRF5812R1

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