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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-RFMRF5812R2
Microsemi Corporation
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

MRF5812R2 - Microsemi Corporation

Hersteller Artikelnummer
MRF5812R2
Hersteller
Microsemi
Allelco Artikelnummer
32D-MRF5812R2
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
RF TRANS NPN 18V 200MA 8SOIC
detaillierte Beschreibung
Verpackung
Datenblatt
MRF5812(G)(R1,R2).pdf
vorrätig: 22377

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Spezifikation

MRF5812R2 Tech -Spezifikationen
Microsemi Corporation - MRF5812R2 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Microsemi Corporation - MRF5812R2

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Microsemi  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 200mA  
Spannung - Durchschlag 8-SO  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 18V  
Serie -  
RoHS Status Tape & Reel (TR)  
Widerstand - Base (R1) (Ohm) 5GHz  
Leistung - max 1.25W  
Polarisation 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Befestigungsart Surface Mount  
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)  
Hersteller-Teilenummer MRF5812R2  
Gewinnen 2dB @ 500MHz  
Frequenz - Übergang 50 @ 50mA, 5V  
Typ FET 15.5dB  
Expanded Beschreibung RF Transistor NPN 18V 200mA 5GHz 1.25W Surface Mount 8-SO  
Beschreibung RF TRANS NPN 18V 200MA 8SOIC  
Strom - Kollektor (Ic) (max) NPN  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Microsemi Corporation MRF5812R2.

Produkteigenschaften MRF5812R2 MRF559 MRF5812R1 MRF581A
Artikelnummer MRF5812R2 MRF559 MRF5812R1 MRF581A
Hersteller Microsemi Corporation Microsemi Corporation Microsemi Corporation Microsemi Corporation
Widerstand - Base (R1) (Ohm) 5GHz - - -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 200mA 16V 15V 15V
Serie - - - -
Spannung - Durchschlag 8-SO - - -
Hersteller-Teilenummer MRF5812R2 - - -
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 18V - - -
Strom - Kollektor (Ic) (max) NPN 150mA 200mA 200mA
Frequenz - Übergang 50 @ 50mA, 5V 870MHz 5GHz 5GHz
Leistung - max 1.25W 2W 1.25W 1.25W
Polarisation 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) - - -
Expanded Beschreibung RF Transistor NPN 18V 200mA 5GHz 1.25W Surface Mount 8-SO - - -
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited) - - -
RoHS Status Tape & Reel (TR) - - -
Typ FET 15.5dB - - -
Betriebstemperatur 150°C (TJ) - - 150°C (TJ)
Beschreibung RF TRANS NPN 18V 200MA 8SOIC - - -
Gewinnen 2dB @ 500MHz 9.5dB 13dB ~ 15.5dB 13dB ~ 15.5dB

MRF5812R2 Datenblatt PDF

Laden Sie MRF5812R2 PDF -Datenblätter und Microsemi Corporation -Dokumentation für MRF5812R2 - Microsemi Corporation herunter.

Datenblätte
MRF5812(G)(R1,R2).pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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