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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRF730
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IRF730 - NTE Electronics, Inc

Hersteller Artikelnummer
IRF730
Hersteller
NTE Electronics, Inc.
Allelco Artikelnummer
32D-IRF730
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 400V 5.5A TO220
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
IRF730.pdf
vorrätig: 27498

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Anzahl

Spezifikation

IRF730 Tech -Spezifikationen
NTE Electronics, Inc - IRF730 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie NTE Electronics, Inc - IRF730

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller NTE Electronics, Inc.  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1Ohm @ 3.3A, 10V  
Verlustleistung (max) 74W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Bag  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 700 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 38 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 400 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5.5A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie NTE Electronics, Inc IRF730.

Produkteigenschaften IRF730 IRF730 IRF7241TRPBF IRF7240TRPBF
Artikelnummer IRF730 IRF730 IRF7241TRPBF IRF7240TRPBF
Hersteller NTE Electronics, Inc Harris Corporation Infineon Technologies Infineon Technologies
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5.5A (Tc) 5.5A (Tc) 6.2A (Ta) 10.5A (Ta)
Verlustleistung (max) 74W (Tc) 100W (Tc) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Typ FET N-Channel N-Channel P-Channel P-Channel
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Befestigungsart Through Hole Through Hole Surface Mount Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1Ohm @ 3.3A, 10V 1Ohm @ 3A, 10V 41mOhm @ 6.2A, 10V 15mOhm @ 10.5A, 10V
FET-Merkmal - - - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 38 nC @ 10 V 24 nC @ 10 V 80 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Paket Bag Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 700 pF @ 25 V 530 pF @ 25 V 3220 pF @ 25 V 9250 pF @ 25 V
Serie - PowerMESH™ II HEXFET® HEXFET®
Drain-Source-Spannung (Vdss) 400 V 400 V 40 V 40 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse TO-220 TO-220 8-SO 8-SO

IRF730 Datenblatt PDF

Laden Sie IRF730 PDF -Datenblätter und NTE Electronics, Inc -Dokumentation für IRF730 - NTE Electronics, Inc herunter.

Umweltinformationen
RoHS Statement.pdf
Datenblätter
IRF730.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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