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Nordamerika
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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRF730
IRF730 Image
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IRF730 - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
IRF730
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-IRF730
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 400V 5.5A TO220AB
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
IRF730.pdf
RoHS Status
Unsere Zertifizierung
vorrätig: 5000

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Spezifikation

IRF730 Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - IRF730 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - IRF730

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220  
Serie PowerMESH™ II  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1Ohm @ 3A, 10V  
Verlustleistung (max) 100W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 530 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 400 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5.5A (Tc)  
Grundproduktnummer IRF7  

Umwelt- und Exportklassifikationen

ATTRIBUT BESCHREIBUNG
RoHS Status
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) 1 (Unlimited)
Status erreichen REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics IRF730.

Produkteigenschaften IRF730 IRF7241 IRF730 IRF730
Artikelnummer IRF730 IRF7241 IRF730 IRF730
Hersteller STMicroelectronics Infineon Technologies onsemi Harris Corporation
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 530 pF @ 25 V 3220 pF @ 25 V 700 pF @ 25 V 530 pF @ 25 V
Supplier Device-Gehäuse TO-220 8-SO TO-220AB TO-220
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1Ohm @ 3A, 10V 41mOhm @ 6.2A, 10V 1Ohm @ 3.3A, 10V 1Ohm @ 3A, 10V
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 3V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 4.5V, 10V 10V 10V
Paket Tube Tube Tube Bulk
Grundproduktnummer IRF7 - - IRF7
FET-Merkmal - - - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 400 V 40 V 400 V 400 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5.5A (Tc) 6.2A (Ta) 5.5A (Tc) 5.5A (Tc)
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) TO-220-3 TO-220-3
Betriebstemperatur 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Serie PowerMESH™ II HEXFET® - PowerMESH™ II
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24 nC @ 10 V 80 nC @ 10 V 38 nC @ 10 V 24 nC @ 10 V
Verlustleistung (max) 100W (Tc) 2.5W (Ta) 74W (Tc) 100W (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Befestigungsart Through Hole Surface Mount Through Hole Through Hole
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Typ FET N-Channel P-Channel N-Channel N-Channel

IRF730 Datenblatt PDF

Laden Sie IRF730 PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für IRF730 - STMicroelectronics herunter.

Datenblätter
IRF730.pdf

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Versandkosten

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  2. Verwenden Sie unser Konto für die Sendung.In der folgenden Tabelle finden Sie die ungefähren Gebühren.
(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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  1. Telefon
    +00852 9146 4856

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