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Nordamerika
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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelPMV45EN2R
Nexperia USA Inc.
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen
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PMV45EN2R - Nexperia USA Inc.

Hersteller Artikelnummer
PMV45EN2R
Hersteller
Nexperia
Allelco Artikelnummer
32D-PMV45EN2R
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 4.1A TO236AB
Verpackung
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Datenblatt
PMV45EN2.pdf
RoHS Status
Unsere Zertifizierung
vorrätig: 236490

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Spezifikation

PMV45EN2R Tech -Spezifikationen
Nexperia USA Inc. - PMV45EN2R Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Nexperia USA Inc. - PMV45EN2R

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Nexperia  
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-236AB  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 42mOhm @ 4.1A, 10V  
Verlustleistung (max) 510mW (Ta), 5W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 209 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.3 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4.1A (Ta)  
Grundproduktnummer PMV45EN2  

Umwelt- und Exportklassifikationen

ATTRIBUT BESCHREIBUNG
RoHS Status
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) 1 (Unlimited)
Status erreichen REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Nexperia USA Inc. PMV45EN2R.

Produkteigenschaften PMV45EN2R PMV48XP,215 PMV48XP,215 PMV450ENEAR
Artikelnummer PMV45EN2R PMV48XP,215 PMV48XP,215 PMV450ENEAR
Hersteller Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc. NXP Semiconductors Nexperia USA Inc.
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie - - - Automotive, AEC-Q101
Vgs (Max) ±20V ±12V ±12V ±20V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Grundproduktnummer PMV45EN2 PMV48 - PMV450
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 209 pF @ 15 V 1000 pF @ 10 V 1000 pF @ 10 V 101 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.3 nC @ 10 V 11 nC @ 4.5 V 11 nC @ 4.5 V 3.6 nC @ 10 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V 4.5V, 10V
Supplier Device-Gehäuse TO-236AB TO-236AB TO-236AB TO-236AB
FET-Merkmal - - - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 20 V 20 V 60 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 42mOhm @ 4.1A, 10V 55mOhm @ 2.4A, 4.5V 55mOhm @ 2.4A, 4.5V 380mOhm @ 900mA, 10V
Verlustleistung (max) 510mW (Ta), 5W (Tc) 510mW (Ta) 510mW (Ta) 323mW (Ta), 554mW (Tc)
Typ FET N-Channel P-Channel P-Channel N-Channel
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 1.25V @ 250µA 1.25V @ 250µA 2.7V @ 250µA
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4.1A (Ta) 3.5A (Ta) 3.5A (Ta) 800mA (Ta)

PMV45EN2R Datenblatt PDF

Laden Sie PMV45EN2R PDF -Datenblätter und Nexperia USA Inc. -Dokumentation für PMV45EN2R - Nexperia USA Inc. herunter.

PCN -Verpackung
All Dev Label Chgs 2/Aug/2020.pdf Logo 10/Dec/2016.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev Wafer Test Chgs 4/Feb/2022.pdf
Datenblätter
PMV45EN2.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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