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Nordamerika
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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelPMV48XP,215
Nexperia USA Inc.
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen
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PMV48XP,215 - Nexperia USA Inc.

Hersteller Artikelnummer
PMV48XP,215
Hersteller
Nexperia
Allelco Artikelnummer
32D-PMV48XP,215
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 20V 3.5A TO236AB
Verpackung
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Datenblatt
PMV48xP,215 Datasheet.pdf
RoHS Status
Unsere Zertifizierung
vorrätig: 186870

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Spezifikation

PMV48XP,215 Tech -Spezifikationen
Nexperia USA Inc. - PMV48XP,215 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Nexperia USA Inc. - PMV48XP,215

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Nexperia  
VGS (th) (Max) @ Id 1.25V @ 250µA  
Vgs (Max) ±12V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-236AB  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 55mOhm @ 2.4A, 4.5V  
Verlustleistung (max) 510mW (Ta)  
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1000 pF @ 10 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11 nC @ 4.5 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.5A (Ta)  
Grundproduktnummer PMV48  

Umwelt- und Exportklassifikationen

ATTRIBUT BESCHREIBUNG
RoHS Status
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) 1 (Unlimited)
Status erreichen REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Nexperia USA Inc. PMV48XP,215.

Produkteigenschaften PMV48XP,215 PMV48XP,215 PMV45EN2215 PMV45EN,215
Artikelnummer PMV48XP,215 PMV48XP,215 PMV45EN2215 PMV45EN,215
Hersteller Nexperia USA Inc. NXP Semiconductors NXP USA Inc. NXP USA Inc.
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.5A (Ta) 3.5A (Ta) - 5.4A (Tc)
Verlustleistung (max) 510mW (Ta) 510mW (Ta) - 280mW (Tj)
Typ FET P-Channel P-Channel - N-Channel
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V - 4.5V, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11 nC @ 4.5 V 11 nC @ 4.5 V - 9.4 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 55mOhm @ 2.4A, 4.5V 55mOhm @ 2.4A, 4.5V - 42mOhm @ 2A, 10V
Supplier Device-Gehäuse TO-236AB TO-236AB - SOT-23 (TO-236AB)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount - Surface Mount
Vgs (Max) ±12V ±12V - ±20V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ)
VGS (th) (Max) @ Id 1.25V @ 250µA 1.25V @ 250µA - 2V @ 1mA
Grundproduktnummer PMV48 - - PMV4
Paket Tape & Reel (TR) Bulk Bulk Tape & Reel (TR)
FET-Merkmal - - - -
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 - TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1000 pF @ 10 V 1000 pF @ 10 V - 350 pF @ 30 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V 20 V - 30 V
Serie - - * TrenchMOS™

PMV48XP,215 Datenblatt PDF

Laden Sie PMV48XP,215 PDF -Datenblätter und Nexperia USA Inc. -Dokumentation für PMV48XP,215 - Nexperia USA Inc. herunter.

PCN -Verpackung
All Dev Label Chgs 2/Aug/2020.pdf Pack/Label Update 30/Nov/2016.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Copper Bond Wire 18/Apr/2014.pdf
Datenblätter
PMV48xP,215 Datasheet.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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  1. Telefon
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PMV48XP,215

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32D-PMV48XP,215

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