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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelHAT2164H-EL-E
Renesas Electronics America Inc
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HAT2164H-EL-E - Renesas Electronics America Inc

Hersteller Artikelnummer
HAT2164H-EL-E
Hersteller
Renesas Electronics Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-HAT2164H-EL-E
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 60A LFPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SC-100, SOT-669
Datenblatt
HAT2164H-EL-E.pdf
RoHS Status
vorrätig: 5310

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Anzahl

Spezifikation

HAT2164H-EL-E Tech -Spezifikationen
Renesas Electronics America Inc - HAT2164H-EL-E Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Renesas Electronics America Inc - HAT2164H-EL-E

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Renesas Electronics Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id -  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse LFPAK  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.1mOhm @ 30A, 10V  
Verlustleistung (max) 30W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse SC-100, SOT-669  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7600 pF @ 10 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 50 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 60A (Ta)  
Grundproduktnummer HAT2164  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Renesas Electronics America Inc HAT2164H-EL-E.

Produkteigenschaften HAT2164H-EL-E HAT2165H-EL-E HAT2160H-EL-E HAT2165N-EL-E
Artikelnummer HAT2164H-EL-E HAT2165H-EL-E HAT2160H-EL-E HAT2165N-EL-E
Hersteller Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse LFPAK LFPAK LFPAK 8-LFPAK-iV
Serie - - - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V -
Betriebstemperatur 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
VGS (th) (Max) @ Id - 2.5V @ 1mA 2.3V @ 1mA -
FET-Merkmal - - - -
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Grundproduktnummer HAT2164 - HAT2160 -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V 20 V 30 V
Verlustleistung (max) 30W (Tc) 30W (Tc) 30W (Tc) 30W (Tc)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7600 pF @ 10 V 5180 pF @ 10 V 7750 pF @ 10 V 5180 pF @ 10 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V -
Verpackung / Gehäuse SC-100, SOT-669 SC-100, SOT-669 SC-100, SOT-669 8-PowerSOIC (0.154", 3.90mm Width)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.1mOhm @ 30A, 10V 3.3mOhm @ 27.5A, 10V 2.6mOhm @ 30A, 10V 3.6mOhm @ 27.5A, 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 60A (Ta) 55A (Ta) 60A (Ta) 55A (Ta)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 50 nC @ 4.5 V 33 nC @ 4.5 V 54 nC @ 4.5 V 33 nC @ 4.5 V

HAT2164H-EL-E Datenblatt PDF

Laden Sie HAT2164H-EL-E PDF -Datenblätter und Renesas Electronics America Inc -Dokumentation für HAT2164H-EL-E - Renesas Electronics America Inc herunter.

PCN -Verpackung
Label Change-All Devices 01/Dec/2022.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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