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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelHAT2165H-EL-E
Renesas Electronics America Inc
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

HAT2165H-EL-E - Renesas Electronics America Inc

Hersteller Artikelnummer
HAT2165H-EL-E
Hersteller
Renesas Electronics Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-HAT2165H-EL-E
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 55A LFPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SC-100, SOT-669
Datenblatt
HAT2165H-EL-E.pdf
RoHS Status
vorrätig: 5430

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Anzahl

Spezifikation

HAT2165H-EL-E Tech -Spezifikationen
Renesas Electronics America Inc - HAT2165H-EL-E Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Renesas Electronics America Inc - HAT2165H-EL-E

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Renesas Electronics Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse LFPAK  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.3mOhm @ 27.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 30W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse SC-100, SOT-669  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5180 pF @ 10 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 33 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 55A (Ta)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Renesas Electronics America Inc HAT2165H-EL-E.

Produkteigenschaften HAT2165H-EL-E HAT2164H-EL-E HAT2166H-EL-E HAT2160H-EL-E
Artikelnummer HAT2165H-EL-E HAT2164H-EL-E HAT2166H-EL-E HAT2160H-EL-E
Hersteller Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc
FET-Merkmal - - - -
Supplier Device-Gehäuse LFPAK LFPAK LFPAK LFPAK
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 55A (Ta) 60A (Ta) 45A (Ta) 60A (Ta)
Serie - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.3mOhm @ 27.5A, 10V 3.1mOhm @ 30A, 10V 3.8mOhm @ 22.5A, 10V 2.6mOhm @ 30A, 10V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V 30 V 20 V
Verpackung / Gehäuse SC-100, SOT-669 SC-100, SOT-669 SC-100, SOT-669 SC-100, SOT-669
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Verlustleistung (max) 30W (Tc) 30W (Tc) 25W (Tc) 30W (Tc)
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA - 2.5V @ 1mA 2.3V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 33 nC @ 4.5 V 50 nC @ 4.5 V 27 nC @ 4.5 V 54 nC @ 4.5 V
Betriebstemperatur 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5180 pF @ 10 V 7600 pF @ 10 V 4400 pF @ 10 V 7750 pF @ 10 V

HAT2165H-EL-E Datenblatt PDF

Laden Sie HAT2165H-EL-E PDF -Datenblätter und Renesas Electronics America Inc -Dokumentation für HAT2165H-EL-E - Renesas Electronics America Inc herunter.

PCN -Verpackung
Label Change-All Devices 01/Dec/2022.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
DK OBS NOTICE.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
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Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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