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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelHAT2171H-EL-E
Renesas Electronics America Inc
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

HAT2171H-EL-E - Renesas Electronics America Inc

Hersteller Artikelnummer
HAT2171H-EL-E
Hersteller
Renesas Electronics Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-HAT2171H-EL-E
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 40V 40A LFPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SC-100, SOT-669
Datenblatt
HAT2171H-EL-E.pdf
RoHS Status
vorrätig: 5460

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Anzahl

Spezifikation

HAT2171H-EL-E Tech -Spezifikationen
Renesas Electronics America Inc - HAT2171H-EL-E Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Renesas Electronics America Inc - HAT2171H-EL-E

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Renesas Electronics Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id -  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse LFPAK  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.8mOhm @ 20A, 10V  
Verlustleistung (max) 25W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse SC-100, SOT-669  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3750 pF @ 10 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 52 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 7V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 40A (Ta)  
Grundproduktnummer HAT2171  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Renesas Electronics America Inc HAT2171H-EL-E.

Produkteigenschaften HAT2171H-EL-E HAT2172N-EL-E HAT2173N-EL-E HAT2172H-EL-E
Artikelnummer HAT2171H-EL-E HAT2172N-EL-E HAT2173N-EL-E HAT2172H-EL-E
Hersteller Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc
FET-Merkmal - - - -
Verlustleistung (max) 25W (Tc) 20W (Tc) 30W (Tc) 20W (Tc)
Serie - - - -
Vgs (Max) ±20V - - ±20V
Supplier Device-Gehäuse LFPAK 8-LFPAK-iV 8-LFPAK-iV LFPAK
Grundproduktnummer HAT2171 - - HAT2172
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 7V, 10V - - 7V, 10V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V 40 V 100 V 40 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperatur 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.8mOhm @ 20A, 10V 7.8mOhm @ 15A, 10V 15.3mOhm @ 12.5A, 10V 7.5mOhm @ 15A, 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 52 nC @ 10 V 32 nC @ 10 V 61 nC @ 10 V 32 nC @ 10 V
Verpackung / Gehäuse SC-100, SOT-669 8-PowerSOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-PowerSOIC (0.154", 3.90mm Width) SC-100, SOT-669
VGS (th) (Max) @ Id - - 6V @ 20mA 3V @ 1mA
Paket Tape & Reel (TR) Bulk Bulk Tape & Reel (TR)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3750 pF @ 10 V 2420 pF @ 10 V 4350 pF @ 10 V 2420 pF @ 10 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 40A (Ta) 30A (Ta) 25A (Ta) 30A (Ta)

HAT2171H-EL-E Datenblatt PDF

Laden Sie HAT2171H-EL-E PDF -Datenblätter und Renesas Electronics America Inc -Dokumentation für HAT2171H-EL-E - Renesas Electronics America Inc herunter.

PCN -Verpackung
Label Change-All Devices 01/Dec/2022.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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