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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelHAT2173H-EL-E
Renesas Electronics America Inc
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HAT2173H-EL-E - Renesas Electronics America Inc

Hersteller Artikelnummer
HAT2173H-EL-E
Hersteller
Renesas Electronics Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-HAT2173H-EL-E
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 25A LFPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SC-100, SOT-669
Datenblatt
HAT2173H-EL-E.pdf
RoHS Status
vorrätig: 5120

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Spezifikation

HAT2173H-EL-E Tech -Spezifikationen
Renesas Electronics America Inc - HAT2173H-EL-E Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Renesas Electronics America Inc - HAT2173H-EL-E

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Renesas Electronics Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 6V @ 20mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse LFPAK  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15mOhm @ 12.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 30W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse SC-100, SOT-669  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4350 pF @ 10 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 61 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 8V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 25A (Ta)  
Grundproduktnummer HAT2173  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Renesas Electronics America Inc HAT2173H-EL-E.

Produkteigenschaften HAT2173H-EL-E HAT2170H-EL-E HAT2171H-EL-E HAT2173N-EL-E
Artikelnummer HAT2173H-EL-E HAT2170H-EL-E HAT2171H-EL-E HAT2173N-EL-E
Hersteller Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc
Supplier Device-Gehäuse LFPAK LFPAK LFPAK 8-LFPAK-iV
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 25A (Ta) 45A (Ta) 40A (Ta) 25A (Ta)
Verlustleistung (max) 30W (Tc) 30W (Tc) 25W (Tc) 30W (Tc)
Grundproduktnummer HAT2173 HAT2170 HAT2171 -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4350 pF @ 10 V 4650 pF @ 10 V 3750 pF @ 10 V 4350 pF @ 10 V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperatur 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15mOhm @ 12.5A, 10V 4.2mOhm @ 22.5A, 10V 4.8mOhm @ 20A, 10V 15.3mOhm @ 12.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 61 nC @ 10 V 62 nC @ 10 V 52 nC @ 10 V 61 nC @ 10 V
FET-Merkmal - - - -
Verpackung / Gehäuse SC-100, SOT-669 SC-100, SOT-669 SC-100, SOT-669 8-PowerSOIC (0.154", 3.90mm Width)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 8V, 10V 7V, 10V 7V, 10V -
Serie - - - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 40 V 40 V 100 V
VGS (th) (Max) @ Id 6V @ 20mA 3V @ 1mA - 6V @ 20mA

HAT2173H-EL-E Datenblatt PDF

Laden Sie HAT2173H-EL-E PDF -Datenblätter und Renesas Electronics America Inc -Dokumentation für HAT2173H-EL-E - Renesas Electronics America Inc herunter.

PCN -Verpackung
Label Change-All Devices 01/Dec/2022.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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