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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelHAT2196C-EL-E
Renesas
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HAT2196C-EL-E - Renesas

Hersteller Artikelnummer
HAT2196C-EL-E
Hersteller
Renesas Electronics Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-HAT2196C-EL-E
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
HAT2196C - N-CHANNEL POWER MOSFE
detaillierte Beschreibung
Verpackung
6-SMD, Flat Leads
Datenblatt
HAT2196C-EL-E.pdf
vorrätig: 130640

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Spezifikation

HAT2196C-EL-E Tech -Spezifikationen
Renesas - HAT2196C-EL-E Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Renesas - HAT2196C-EL-E

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Renesas Electronics Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 1.4V @ 1mA  
Vgs (Max) ±12V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 6-CMFPAK  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 58mOhm @ 1.3A, 4.5V  
Verlustleistung (max) 850mW (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 6-SMD, Flat Leads  
Paket Bulk  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 270 pF @ 10 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.8 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.5A (Ta)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Renesas HAT2196C-EL-E.

Produkteigenschaften HAT2196C-EL-E HAT2195R-EL-E HAT2197R-EL-E HAT2187WP-EL-E
Artikelnummer HAT2196C-EL-E HAT2195R-EL-E HAT2197R-EL-E HAT2187WP-EL-E
Hersteller Renesas Renesas Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics Corporation
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V 4.5V, 10V 4.5V, 10V -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V 30 V 30 V -
Vgs (Max) ±12V ±20V ±20V -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.5A (Ta) 18A 16A (Ta) -
Betriebstemperatur 150°C -55°C ~ 150°C 150°C (TJ) -
FET-Merkmal - - - -
Paket Bulk Bulk Tape & Reel (TR) -
Verlustleistung (max) 850mW (Ta) 2.5W 2.5W (Ta) -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.8 nC @ 4.5 V 23 nC @ 4.5 V 18 nC @ 4.5 V -
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel -
VGS (th) (Max) @ Id 1.4V @ 1mA 2.5V @ 1mA - -
Supplier Device-Gehäuse 6-CMFPAK 8-SOP 8-SOP -
Verpackung / Gehäuse 6-SMD, Flat Leads 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 270 pF @ 10 V 3400 pF @ 10 V 2650 pF @ 10 V -
Serie - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 58mOhm @ 1.3A, 4.5V 5.8mOhm @ 9A, 10V 6.7mOhm @ 8A, 10V -

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(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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mögliche Zahlungsmitteln

Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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    +00852 9146 4856

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