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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelHAT2197R-EL-E
HAT2197R-EL-E Image
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HAT2197R-EL-E - Renesas Electronics America Inc

Hersteller Artikelnummer
HAT2197R-EL-E
Hersteller
Renesas Electronics Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-HAT2197R-EL-E
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 16A 8SOP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
HAT2197R-EL-E.pdf
RoHS Status
vorrätig: 3990

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Spezifikation

HAT2197R-EL-E Tech -Spezifikationen
Renesas Electronics America Inc - HAT2197R-EL-E Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Renesas Electronics America Inc - HAT2197R-EL-E

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Renesas Electronics Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id -  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SOP  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.7mOhm @ 8A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2650 pF @ 10 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 16A (Ta)  
Grundproduktnummer HAT2197  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Renesas Electronics America Inc HAT2197R-EL-E.

Produkteigenschaften HAT2197R-EL-E HAT2198WP-EL-E HAT2195R-EL-E HAT2199R-EL-E
Artikelnummer HAT2197R-EL-E HAT2198WP-EL-E HAT2195R-EL-E HAT2199R-EL-E
Hersteller Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc Renesas Renesas Electronics America Inc
Grundproduktnummer HAT2197 - - -
FET-Merkmal - - - -
Paket Tape & Reel (TR) Bulk Bulk Bulk
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2650 pF @ 10 V - 3400 pF @ 10 V 1060 pF @ 10 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.7mOhm @ 8A, 10V - 5.8mOhm @ 9A, 10V 16.5mOhm @ 5.5A, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V - 30 V 30 V
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18 nC @ 4.5 V - 23 nC @ 4.5 V 7.5 nC @ 4.5 V
Vgs (Max) ±20V - ±20V -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V - 4.5V, 10V -
VGS (th) (Max) @ Id - - 2.5V @ 1mA -
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta) - 2.5W 2W (Ta)
Typ FET N-Channel - N-Channel N-Channel
Supplier Device-Gehäuse 8-SOP - 8-SOP 8-SOP
Serie - * - -
Befestigungsart Surface Mount - Surface Mount Surface Mount
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 16A (Ta) - 18A 11A (Ta)

HAT2197R-EL-E Datenblatt PDF

Laden Sie HAT2197R-EL-E PDF -Datenblätter und Renesas Electronics America Inc -Dokumentation für HAT2197R-EL-E - Renesas Electronics America Inc herunter.

PCN -Verpackung
Label Change-All Devices 01/Dec/2022.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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