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ZuhauseProdukteIntegrierte schaltkreise (ICS)PMIC-Gate-TreiberISL6613BCRZ
ISL6613BCRZ Image
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

ISL6613BCRZ - Renesas Electronics America Inc

Hersteller Artikelnummer
ISL6613BCRZ
Hersteller
Renesas Electronics Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-ISL6613BCRZ
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10DFN
detaillierte Beschreibung
Verpackung
10-VFDFN Exposed Pad
Datenblatt
ISL6612B, ISL6613B.pdf
RoHS Status
vorrätig: 13090

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Anzahl

Spezifikation

ISL6613BCRZ Tech -Spezifikationen
Renesas Electronics America Inc - ISL6613BCRZ Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Renesas Electronics America Inc - ISL6613BCRZ

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Renesas Electronics Corporation  
Spannungsversorgung 7V ~ 13.2V  
Supplier Device-Gehäuse 10-DFN (3x3)  
Serie -  
Aufstieg / Fallzeit (Typ) 26ns, 18ns  
Verpackung / Gehäuse 10-VFDFN Exposed Pad  
Paket Tube  
Betriebstemperatur 0°C ~ 125°C (TJ)  
Anzahl der Treiber 2  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Befestigungsart Surface Mount  
Logikspannung - VIL, VIH -  
Eingabetyp Non-Inverting  
High-Side-Spannung - Max (Bootstrap) 36 V  
Gate-Typ N-Channel MOSFET  
Angetriebene Konfiguration Half-Bridge  
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink) 1.25A, 2A  
Ladestrom Synchronous  
Grundproduktnummer ISL6613  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Renesas Electronics America Inc ISL6613BCRZ.

Produkteigenschaften ISL6613BCRZ ISL6613CRZ ISL6613AECBZ ISL6613ACBZ-T
Artikelnummer ISL6613BCRZ ISL6613CRZ ISL6613AECBZ ISL6613ACBZ-T
Hersteller Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc
Betriebstemperatur 0°C ~ 125°C (TJ) 0°C ~ 125°C (TJ) 0°C ~ 125°C (TJ) 0°C ~ 125°C (TJ)
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink) 1.25A, 2A 1.25A, 2A 1.25A, 2A 1.25A, 2A
Gate-Typ N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Angetriebene Konfiguration Half-Bridge Half-Bridge Half-Bridge Half-Bridge
Spannungsversorgung 7V ~ 13.2V 10.8V ~ 13.2V 10.8V ~ 13.2V 10.8V ~ 13.2V
Serie - - - -
Eingabetyp Non-Inverting Non-Inverting Non-Inverting Non-Inverting
Supplier Device-Gehäuse 10-DFN (3x3) 10-DFN (3x3) 8-SOIC-EP 8-SOIC
High-Side-Spannung - Max (Bootstrap) 36 V 36 V 36 V 36 V
Paket Tube Tube Tube Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse 10-VFDFN Exposed Pad 10-VFDFN Exposed Pad 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) Exposed Pad 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Aufstieg / Fallzeit (Typ) 26ns, 18ns 26ns, 18ns 26ns, 18ns 26ns, 18ns
Logikspannung - VIL, VIH - - - -
Grundproduktnummer ISL6613 ISL6613 ISL6613 ISL6613
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Anzahl der Treiber 2 2 2 2
Ladestrom Synchronous Synchronous Synchronous Synchronous

ISL6613BCRZ Datenblatt PDF

Laden Sie ISL6613BCRZ PDF -Datenblätter und Renesas Electronics America Inc -Dokumentation für ISL6613BCRZ - Renesas Electronics America Inc herunter.

PCN -Verpackung
2.73KHz.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Cylindrical Battery Holders.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
2.73KHz.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Cylindrical Battery Holders.pdf
Datenblätter
ISL6612B, ISL6613B.pdf

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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  1. Telefon
    +00852 9146 4856

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