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ZuhauseProdukteIntegrierte schaltkreise (ICS)PMIC-Gate-TreiberISL6613ECB
ISL6613ECB Image
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ISL6613ECB - Renesas Electronics America Inc

Hersteller Artikelnummer
ISL6613ECB
Hersteller
Renesas Electronics Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-ISL6613ECB
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) Exposed Pad
Datenblatt
ISL6613ECB.pdf
vorrätig: 11300

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Spezifikation

ISL6613ECB Tech -Spezifikationen
Renesas Electronics America Inc - ISL6613ECB Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Renesas Electronics America Inc - ISL6613ECB

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Renesas Electronics Corporation  
Spannungsversorgung 10.8V ~ 13.2V  
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC-EP  
Serie -  
Aufstieg / Fallzeit (Typ) 26ns, 18ns  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) Exposed Pad  
Paket Tube  
Betriebstemperatur 0°C ~ 125°C (TJ)  
Anzahl der Treiber 2  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Befestigungsart Surface Mount  
Logikspannung - VIL, VIH -  
Eingabetyp Non-Inverting  
High-Side-Spannung - Max (Bootstrap) 36 V  
Gate-Typ N-Channel MOSFET  
Angetriebene Konfiguration Half-Bridge  
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink) 1.25A, 2A  
Ladestrom Synchronous  
Grundproduktnummer ISL6613  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Renesas Electronics America Inc ISL6613ECB.

Produkteigenschaften ISL6613ECB ISL6613BIRZ ISL6613CBZ-T ISL6614ACB
Artikelnummer ISL6613ECB ISL6613BIRZ ISL6613CBZ-T ISL6614ACB
Hersteller Renesas Electronics America Inc Intersil Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC-EP 10-DFN (3x3) 8-SOIC 14-SOIC
Anzahl der Treiber 2 2 2 4
Aufstieg / Fallzeit (Typ) 26ns, 18ns 26ns, 18ns 26ns, 18ns 26ns, 18ns
Ladestrom Synchronous Synchronous Synchronous Synchronous
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink) 1.25A, 2A 1.25A, 2A 1.25A, 2A 1.25A, 2A
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) Exposed Pad 10-VFDFN Exposed Pad 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Serie - - - -
Logikspannung - VIL, VIH - - - -
Angetriebene Konfiguration Half-Bridge Half-Bridge Half-Bridge Half-Bridge
Paket Tube Tube Tape & Reel (TR) Tube
Spannungsversorgung 10.8V ~ 13.2V 7V ~ 13.2V 10.8V ~ 13.2V 10.8V ~ 13.2V
Betriebstemperatur 0°C ~ 125°C (TJ) -40°C ~ 125°C (TJ) 0°C ~ 125°C (TJ) 0°C ~ 125°C (TJ)
Eingabetyp Non-Inverting Non-Inverting Non-Inverting Non-Inverting
Grundproduktnummer ISL6613 ISL6613 ISL6613 ISL6614
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
High-Side-Spannung - Max (Bootstrap) 36 V 36 V 36 V 36 V
Gate-Typ N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET

ISL6613ECB Datenblatt PDF

Laden Sie ISL6613ECB PDF -Datenblätter und Renesas Electronics America Inc -Dokumentation für ISL6613ECB - Renesas Electronics America Inc herunter.

PCN -Verpackung
2.73KHz.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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  1. Telefon
    +00852 9146 4856

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32D-ISL6613ECB

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