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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelNP60N04VUK-E1-AY
Renesas Electronics America Inc
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

NP60N04VUK-E1-AY - Renesas Electronics America Inc

Hersteller Artikelnummer
NP60N04VUK-E1-AY
Hersteller
Renesas Electronics Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-NP60N04VUK-E1-AY
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 40V 60A TO252
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
NP60N04VUK-E1-AY.pdf
RoHS Status
vorrätig: 57040

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Anzahl

Spezifikation

NP60N04VUK-E1-AY Tech -Spezifikationen
Renesas Electronics America Inc - NP60N04VUK-E1-AY Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Renesas Electronics America Inc - NP60N04VUK-E1-AY

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Renesas Electronics Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-252  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.85mOhm @ 30A, 10V  
Verlustleistung (max) 1.2W (Ta), 105W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3680 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 63 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 60A (Tc)  
Grundproduktnummer NP60N04  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Renesas Electronics America Inc NP60N04VUK-E1-AY.

Produkteigenschaften NP60N04VUK-E1-AY IPD30N06S2L23ATMA3 NP60N06PDK-E1-AY NP60N04ILF-E1-AZ
Artikelnummer NP60N04VUK-E1-AY IPD30N06S2L23ATMA3 NP60N06PDK-E1-AY NP60N04ILF-E1-AZ
Hersteller Renesas Electronics America Inc Infineon Technologies Renesas Electronics America Inc Renesas
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 63 nC @ 10 V 42 nC @ 10 V 56 nC @ 10 V 75 nC @ 10 V
Betriebstemperatur 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) 150°C (TJ) 175°C
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Supplier Device-Gehäuse TO-252 PG-TO252-3-11 TO-263-3 TO-252 (MP-3Z)
Serie - OptiMOS™ Automotive, AEC-Q101 -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V 55 V 60 V 40 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 60A (Tc) 30A (Tc) 60A 60A (Tc)
Verlustleistung (max) 1.2W (Ta), 105W (Tc) 100W (Tc) 105W 1.2W (Ta), 100W (Tc)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3680 pF @ 25 V 1091 pF @ 25 V 3600 pF @ 25 V 3900 pF @ 25 V
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 2V @ 50µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.85mOhm @ 30A, 10V 23mOhm @ 22A, 10V 12mOhm @ 30A, 10V 6.5mOhm @ 30A, 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
FET-Merkmal - - - -
Grundproduktnummer NP60N04 IPD30N06 NP60N06 -
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk

NP60N04VUK-E1-AY Datenblatt PDF

Laden Sie NP60N04VUK-E1-AY PDF -Datenblätter und Renesas Electronics America Inc -Dokumentation für NP60N04VUK-E1-AY - Renesas Electronics America Inc herunter.

PCN -Verpackung
Label Change-All Devices 01/Dec/2022.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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