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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelNP60N06PDK-E1-AY
NP60N06PDK-E1-AY Image
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NP60N06PDK-E1-AY - Renesas Electronics America Inc

Hersteller Artikelnummer
NP60N06PDK-E1-AY
Hersteller
Renesas Electronics Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-NP60N06PDK-E1-AY
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET TRANSISTOR MORE 1 W
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
NP60N06PDK-E1-AY.pdf
RoHS Status
vorrätig: 40810

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Anzahl

Spezifikation

NP60N06PDK-E1-AY Tech -Spezifikationen
Renesas Electronics America Inc - NP60N06PDK-E1-AY Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Renesas Electronics America Inc - NP60N06PDK-E1-AY

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Renesas Electronics Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-263-3  
Serie Automotive, AEC-Q101  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12mOhm @ 30A, 10V  
Verlustleistung (max) 105W  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3600 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 56 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 60A  
Grundproduktnummer NP60N06  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Renesas Electronics America Inc NP60N06PDK-E1-AY.

Produkteigenschaften NP60N06PDK-E1-AY NP60N04VUK-E1-AY STW60N65M5 NP60N03SUG-E1-AY
Artikelnummer NP60N06PDK-E1-AY NP60N04VUK-E1-AY STW60N65M5 NP60N03SUG-E1-AY
Hersteller Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc STMicroelectronics Renesas Electronics America Inc
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 60A 60A (Tc) 46A (Tc) 60A (Tc)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12mOhm @ 30A, 10V 3.85mOhm @ 30A, 10V 59mOhm @ 23A, 10V 3.8mOhm @ 30A, 10V
Supplier Device-Gehäuse TO-263-3 TO-252 TO-247-3 TO-252 (MP-3ZK)
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-247-3 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Serie Automotive, AEC-Q101 - MDmesh™ V -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3600 pF @ 25 V 3680 pF @ 25 V 6810 pF @ 100 V 7500 pF @ 25 V
FET-Merkmal - - - -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±25V ±20V
Betriebstemperatur 150°C (TJ) 175°C (TJ) 150°C (TJ) 175°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 40 V 650 V 30 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 10V 10V 10V
Grundproduktnummer NP60N06 NP60N04 STW60N -
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 56 nC @ 10 V 63 nC @ 10 V 139 nC @ 10 V 135 nC @ 10 V
Verlustleistung (max) 105W 1.2W (Ta), 105W (Tc) 255W (Tc) 1.2W (Ta), 105W (Tc)
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Through Hole Surface Mount

Lieferung

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  2. Verwenden Sie unser Konto für die Sendung.In der folgenden Tabelle finden Sie die ungefähren Gebühren.
(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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