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ZuhauseProdukteIntegrierte schaltkreise (ICS)PMIC-Gate-TreiberL6390DTR
L6390DTR Image
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L6390DTR - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
L6390DTR
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-L6390DTR
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SO
detaillierte Beschreibung
Verpackung
16-SOIC (0.154', 3.90mm Width)
Datenblatt
L6390.pdf
RoHS Status
vorrätig: 34116

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Anzahl

Spezifikation

L6390DTR Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - L6390DTR Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - L6390DTR

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
Spannungsversorgung 12.5V ~ 20V  
Supplier Device-Gehäuse 16-SO  
Serie -  
Aufstieg / Fallzeit (Typ) 75ns, 35ns  
Verpackung / Gehäuse 16-SOIC (0.154', 3.90mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)  
Anzahl der Treiber 2  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Befestigungsart Surface Mount  
Logikspannung - VIL, VIH 1.1V, 1.9V  
Eingabetyp Non-Inverting  
High-Side-Spannung - Max (Bootstrap) 600 V  
Gate-Typ IGBT, N-Channel MOSFET  
Angetriebene Konfiguration Half-Bridge  
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink) 290mA, 430mA  
Ladestrom Independent  
Grundproduktnummer L6390  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics L6390DTR.

Produkteigenschaften L6390DTR L6387ED013TR L6392D L6393DTR
Artikelnummer L6390DTR L6387ED013TR L6392D L6393DTR
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
High-Side-Spannung - Max (Bootstrap) 600 V 600 V 600 V 600 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Serie - - - -
Logikspannung - VIL, VIH 1.1V, 1.9V 1.5V, 3.6V 1.1V, 1.9V 1.1V, 1.9V
Eingabetyp Non-Inverting Inverting Non-Inverting Non-Inverting
Anzahl der Treiber 2 2 2 2
Angetriebene Konfiguration Half-Bridge Half-Bridge Half-Bridge Half-Bridge
Gate-Typ IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink) 290mA, 430mA 400mA, 650mA 290mA, 430mA 290mA, 430mA
Ladestrom Independent Independent Independent Synchronous
Grundproduktnummer L6390 L6387 L6392 L6393
Verpackung / Gehäuse 16-SOIC (0.154', 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 14-SOIC (0.154', 3.90mm Width)
Aufstieg / Fallzeit (Typ) 75ns, 35ns 50ns, 30ns 75ns, 35ns 75ns, 35ns
Spannungsversorgung 12.5V ~ 20V 17V (Max) 12.5V ~ 20V 10V ~ 20V
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) -45°C ~ 125°C (TJ) -40°C ~ 125°C (TJ) -40°C ~ 125°C (TJ)
Supplier Device-Gehäuse 16-SO 8-SOIC 14-SO 14-SO

L6390DTR Datenblatt PDF

Laden Sie L6390DTR PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für L6390DTR - STMicroelectronics herunter.

PCN -Verpackung
Mult Dev Inner Pkg Chg 30/Oct/2019.pdf Material Barrier Bag 17/Dec/2020.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
2.73KHz.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Cylindrical Battery Holders.pdf
HTML -Datenblatt
L6390.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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