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ZuhauseProdukteIntegrierte schaltkreise (ICS)PMIC-Gate-TreiberL6393DTR
L6393DTR Image
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L6393DTR - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
L6393DTR
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-L6393DTR
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SO
detaillierte Beschreibung
Verpackung
14-SOIC (0.154', 3.90mm Width)
Datenblatt
L6393.pdf
RoHS Status
vorrätig: 45952

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Anzahl

Spezifikation

L6393DTR Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - L6393DTR Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - L6393DTR

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
Spannungsversorgung 10V ~ 20V  
Supplier Device-Gehäuse 14-SO  
Serie -  
Aufstieg / Fallzeit (Typ) 75ns, 35ns  
Verpackung / Gehäuse 14-SOIC (0.154', 3.90mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C (TJ)  
Anzahl der Treiber 2  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Befestigungsart Surface Mount  
Logikspannung - VIL, VIH 1.1V, 1.9V  
Eingabetyp Non-Inverting  
High-Side-Spannung - Max (Bootstrap) 600 V  
Gate-Typ IGBT, N-Channel MOSFET  
Angetriebene Konfiguration Half-Bridge  
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink) 290mA, 430mA  
Ladestrom Synchronous  
Grundproduktnummer L6393  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics L6393DTR.

Produkteigenschaften L6393DTR L6389EDTR L6390D L6391DTR
Artikelnummer L6393DTR L6389EDTR L6390D L6391DTR
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Supplier Device-Gehäuse 14-SO 8-SOIC 16-SO 14-SO
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Logikspannung - VIL, VIH 1.1V, 1.9V 1.1V, 1.8V 1.1V, 1.9V 1.1V, 1.9V
Spannungsversorgung 10V ~ 20V 17V (Max) 12.5V ~ 20V 12.5V ~ 20V
Angetriebene Konfiguration Half-Bridge Half-Bridge Half-Bridge Half-Bridge
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
Gate-Typ IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET
Grundproduktnummer L6393 L6389 L6390 L6391
Ladestrom Synchronous Independent Independent Independent
Anzahl der Treiber 2 2 2 2
Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C (TJ) -45°C ~ 125°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Serie - - - -
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink) 290mA, 430mA 400mA, 650mA 290mA, 430mA 290mA, 430mA
Verpackung / Gehäuse 14-SOIC (0.154', 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 14-SOIC (0.154', 3.90mm Width)
Aufstieg / Fallzeit (Typ) 75ns, 35ns 70ns, 40ns 75ns, 35ns 75ns, 35ns
High-Side-Spannung - Max (Bootstrap) 600 V 600 V 600 V 600 V
Eingabetyp Non-Inverting Inverting Non-Inverting Non-Inverting

L6393DTR Datenblatt PDF

Laden Sie L6393DTR PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für L6393DTR - STMicroelectronics herunter.

PCN -Verpackung
Mult Dev Inner Pkg Chg 30/Oct/2019.pdf Material Barrier Bag 17/Dec/2020.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Second Source 05/Nov/2021.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Cylindrical Battery Holders.pdf
HTML -Datenblatt
L6393.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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