Spezifikation
SCTW35N65G2V Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - SCTW35N65G2V Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - SCTW35N65G2V
| Produkteigenschaften |
Eigenschaften
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| Hersteller |
STMicroelectronics |
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| VGS (th) (Max) @ Id |
5V @ 1mA |
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| Vgs (Max) |
+22V, -10V |
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| Technologie |
SiCFET (Silicon Carbide) |
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| Supplier Device-Gehäuse |
HiP247™ |
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| Serie |
Automotive, AEC-Q101 |
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| Rds On (Max) @ Id, Vgs |
67mOhm @ 20A, 20V |
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| Verlustleistung (max) |
240W (Tc) |
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| Verpackung / Gehäuse |
TO-247-3 |
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| Paket |
Tube |
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| Produkteigenschaften |
Eigenschaften
| |
| Betriebstemperatur |
-55°C ~ 200°C (TJ) |
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| Befestigungsart |
Through Hole |
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| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds |
1370 pF @ 400 V |
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| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs |
73 nC @ 20 V |
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| Typ FET |
N-Channel |
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| FET-Merkmal |
- |
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| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) |
18V, 20V |
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| Drain-Source-Spannung (Vdss) |
650 V |
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| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C |
45A (Tc) |
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| Grundproduktnummer |
SCTW35 |
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Lieferung
Lieferzeit
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| Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder |
| Region |
Land |
Logistische Zeit (Tag) |
| Amerika |
Vereinigte Staaten |
5 |
| Brasilien |
7 |
| Europa |
Deutschland |
5 |
| Großbritannien |
4 |
| Italien |
5 |
| Ozeanien |
Australien |
6 |
| Neuseeland |
5 |
| Asien |
Indien |
4 |
| Japan |
4 |
| Naher Osten |
Israel |
6 |
| DHL & FedEx -Versandkosten Referenz |
| Versandkosten (KG) |
Referenz DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg |
USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg |
USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg |
USD$50.00 - USD$100.00 |
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