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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSCTW90N65G2V
SCTW90N65G2V Image
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SCTW90N65G2V - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
SCTW90N65G2V
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-SCTW90N65G2V
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
SICFET N-CH 650V 90A HIP247
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-247-3
Datenblatt
SCTW90N65G2V.pdf
RoHS Status
vorrätig: 1416

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Anzahl

Spezifikation

SCTW90N65G2V Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - SCTW90N65G2V Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - SCTW90N65G2V

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) +22V, -10V  
Technologie SiCFET (Silicon Carbide)  
Supplier Device-Gehäuse HiP247™  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25mOhm @ 50A, 18V  
Verlustleistung (max) 390W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 200°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3300 pF @ 400 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 157 nC @ 18 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 18V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 90A (Tc)  
Grundproduktnummer SCTW90  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics SCTW90N65G2V.

Produkteigenschaften SCTW90N65G2V SCTWA30N120 SCTW35N65G2V SCTW70N120G2V
Artikelnummer SCTW90N65G2V SCTWA30N120 SCTW35N65G2V SCTW70N120G2V
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3300 pF @ 400 V 1700 pF @ 400 V 1370 pF @ 400 V -
Grundproduktnummer SCTW90 SCTWA30 SCTW35 -
Supplier Device-Gehäuse HiP247™ HiP247™ Long Leads HiP247™ -
Betriebstemperatur -55°C ~ 200°C (TJ) -55°C ~ 200°C (TJ) -55°C ~ 200°C (TJ) -
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 157 nC @ 18 V 105 nC @ 20 V 73 nC @ 20 V -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 90A (Tc) 45A (Tc) 45A (Tc) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25mOhm @ 50A, 18V 100mOhm @ 20A, 20V 67mOhm @ 20A, 20V -
Vgs (Max) +22V, -10V +25V, -10V +22V, -10V -
Serie - - Automotive, AEC-Q101 -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 18V 20V 18V, 20V -
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 -
Verlustleistung (max) 390W (Tc) 270W (Tc) 240W (Tc) -
FET-Merkmal - - - -
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole -
Technologie SiCFET (Silicon Carbide) SiCFET (Silicon Carbide) SiCFET (Silicon Carbide) -
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 3.5V @ 1mA (Typ) 5V @ 1mA -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V 1200 V 650 V -
Paket Tube Tube Tube -

SCTW90N65G2V Datenblatt PDF

Laden Sie SCTW90N65G2V PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für SCTW90N65G2V - STMicroelectronics herunter.

PCN -Design/Spezifikation
Lead Frame Base Material 20/Dec/2021.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
SCTx/Hx/Wx 16/Jun/2022.pdf
Datenblätter
SCTW90N65G2V.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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