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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSCTWA90N65G2V-4
STMicroelectronics
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

SCTWA90N65G2V-4 - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
SCTWA90N65G2V-4
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-SCTWA90N65G2V-4
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS SJT N-CH 650V 119A HIP247
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-247-3
Datenblatt
SCTWA90N65G2V-4.pdf
RoHS Status
vorrätig: 1217

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Anzahl

Spezifikation

SCTWA90N65G2V-4 Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - SCTWA90N65G2V-4 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - SCTWA90N65G2V-4

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 1mA  
Vgs (Max) +22V, -10V  
Technologie SiCFET (Silicon Carbide)  
Supplier Device-Gehäuse HiP247™ Long Leads  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 24mOhm @ 50A, 18V  
Verlustleistung (max) 565W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 200°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3380 pF @ 400 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 157 nC @ 18 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 119A (Tc)  
Grundproduktnummer SCTWA90  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics SCTWA90N65G2V-4.

Produkteigenschaften SCTWA90N65G2V-4 SCTW90N65G2V SCTWA30N120 SCTW35N65G2VAG
Artikelnummer SCTWA90N65G2V-4 SCTW90N65G2V SCTWA30N120 SCTW35N65G2VAG
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
FET-Merkmal - - - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 119A (Tc) 90A (Tc) 45A (Tc) -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V 650 V 1200 V -
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 1mA 5V @ 250µA 3.5V @ 1mA (Typ) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 24mOhm @ 50A, 18V 25mOhm @ 50A, 18V 100mOhm @ 20A, 20V -
Vgs (Max) +22V, -10V +22V, -10V +25V, -10V -
Supplier Device-Gehäuse HiP247™ Long Leads HiP247™ HiP247™ Long Leads -
Technologie SiCFET (Silicon Carbide) SiCFET (Silicon Carbide) SiCFET (Silicon Carbide) -
Grundproduktnummer SCTWA90 SCTW90 SCTWA30 -
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 -
Paket Tube Tube Tube -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3380 pF @ 400 V 3300 pF @ 400 V 1700 pF @ 400 V -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 157 nC @ 18 V 157 nC @ 18 V 105 nC @ 20 V -
Serie - - - -
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel -
Verlustleistung (max) 565W (Tc) 390W (Tc) 270W (Tc) -
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole -
Betriebstemperatur -55°C ~ 200°C (TJ) -55°C ~ 200°C (TJ) -55°C ~ 200°C (TJ) -

SCTWA90N65G2V-4 Datenblatt PDF

Laden Sie SCTWA90N65G2V-4 PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für SCTWA90N65G2V-4 - STMicroelectronics herunter.

Datenblätter
SCTWA90N65G2V-4.pdf

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(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

  1. Globale gemeinsame Versand von DHL / UPS / FEDEX / TNT / EMS / SF, die wir unterstützen.
  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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mögliche Zahlungsmitteln

Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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  1. Telefon
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