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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTB13NM60N
STB13NM60N Image
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STB13NM60N - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STB13NM60N
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STB13NM60N
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
ST(B,D)13NM60N Datasheet.pdf
RoHS Status
vorrätig: 11673

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Spezifikation

STB13NM60N Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STB13NM60N Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STB13NM60N

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D2PAK  
Serie MDmesh™ II  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 360mOhm @ 5.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 90W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 790 pF @ 50 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 11A (Tc)  
Grundproduktnummer STB13  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STB13NM60N.

Produkteigenschaften STB13NM60N STB130N6F7 STB140NF75T4 STB13NK60ZT4
Artikelnummer STB13NM60N STB130N6F7 STB140NF75T4 STB13NK60ZT4
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 790 pF @ 50 V 2600 pF @ 25 V 5000 pF @ 25 V 2030 pF @ 25 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V 60 V 75 V 600 V
Vgs (Max) ±25V ±20V ±20V ±30V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
FET-Merkmal - - - -
Betriebstemperatur 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4.5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30 nC @ 10 V 42 nC @ 10 V 218 nC @ 10 V 92 nC @ 10 V
Grundproduktnummer STB13 STB130 STB140 STB13
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 11A (Tc) 80A (Tc) 120A (Tc) 13A (Tc)
Supplier Device-Gehäuse D2PAK D²PAK (TO-263) D2PAK D2PAK
Serie MDmesh™ II STripFET™ F7 STripFET™ III SuperMESH™
Verlustleistung (max) 90W (Tc) 160W (Tc) 310W (Tc) 150W (Tc)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 360mOhm @ 5.5A, 10V 5mOhm @ 40A, 10V 7.5mOhm @ 70A, 10V 550mOhm @ 4.5A, 10V
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

STB13NM60N Datenblatt PDF

Laden Sie STB13NM60N PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STB13NM60N - STMicroelectronics herunter.

PCN -Verpackung
Mult Dev Inner Box Chg 9/Dec/2021.pdf
PCN -Design/Spezifikation
D2PAK Lead Modification 04/Oct/2013.pdf IPG-PWR/14/8422 11/Apr/2014.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
IPG-PWR/14/8603 21/Jul/2014.pdf
Datenblätter
ST(B,D)13NM60N Datasheet.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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