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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTB140NF55T4
STB140NF55T4 Image
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

STB140NF55T4 - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STB140NF55T4
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STB140NF55T4
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
STB140NF55(-1), STP140NF55.pdf
RoHS Status
vorrätig: 19322

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Spezifikation

STB140NF55T4 Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STB140NF55T4 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STB140NF55T4

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D2PAK  
Serie STripFET™ II  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8mOhm @ 40A, 10V  
Verlustleistung (max) 300W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5300 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 142 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 80A (Tc)  
Grundproduktnummer STB140  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STB140NF55T4.

Produkteigenschaften STB140NF55T4 STB140NF75T4 STB13NK60ZT4 STB13N60M2
Artikelnummer STB140NF55T4 STB140NF75T4 STB13NK60ZT4 STB13N60M2
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5300 pF @ 25 V 5000 pF @ 25 V 2030 pF @ 25 V 580 pF @ 100 V
Verlustleistung (max) 300W (Tc) 310W (Tc) 150W (Tc) 110W (Tc)
Supplier Device-Gehäuse D2PAK D2PAK D2PAK D²PAK (TO-263)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 80A (Tc) 120A (Tc) 13A (Tc) 11A (Tc)
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8mOhm @ 40A, 10V 7.5mOhm @ 70A, 10V 550mOhm @ 4.5A, 10V 380mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±30V ±25V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55 V 75 V 600 V 600 V
Grundproduktnummer STB140 STB140 STB13 STB13
FET-Merkmal - - - -
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4.5V @ 100µA 4V @ 250µA
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 142 nC @ 10 V 218 nC @ 10 V 92 nC @ 10 V 17 nC @ 10 V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Serie STripFET™ II STripFET™ III SuperMESH™ MDmesh™ II Plus

STB140NF55T4 Datenblatt PDF

Laden Sie STB140NF55T4 PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STB140NF55T4 - STMicroelectronics herunter.

PCN -Verpackung
Box Label Chg 28/Jul/2016.pdf Mult Dev Inner Box Chg 9/Dec/2021.pdf
PCN -Design/Spezifikation
D2PAK Lead Modification 04/Oct/2013.pdf IPG-PWR/14/8422 11/Apr/2014.pdf
Datenblätter
STB140NF55(-1), STP140NF55.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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