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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTB55NF06T4
STB55NF06T4 Image
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

STB55NF06T4 - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STB55NF06T4
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STB55NF06T4
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
STx55NF06(-1,FP).pdf
RoHS Status
vorrätig: 23630

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Anzahl

Spezifikation

STB55NF06T4 Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STB55NF06T4 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STB55NF06T4

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D2PAK  
Serie STripFET™ II  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18mOhm @ 27.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 110W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1300 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 60 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 50A (Tc)  
Grundproduktnummer STB55  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STB55NF06T4.

Produkteigenschaften STB55NF06T4 STB5N52K3 STB55NF03LT4 STB55NF06LT4
Artikelnummer STB55NF06T4 STB5N52K3 STB55NF03LT4 STB55NF06LT4
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Grundproduktnummer STB55 STB5N STB55N STB55
Vgs (Max) ±20V ±30V ±16V ±16V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 525 V 30 V 60 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 60 nC @ 10 V 17 nC @ 10 V 27 nC @ 4.5 V 37 nC @ 4.5 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Serie STripFET™ II SuperMESH3™ STripFET™ II STripFET™ II
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1300 pF @ 25 V 545 pF @ 100 V 1265 pF @ 25 V 1700 pF @ 25 V
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4.5V @ 50µA 1V @ 250µA 4.7V @ 250µA
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 50A (Tc) 4.4A (Tc) 55A (Tc) 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18mOhm @ 27.5A, 10V 1.5Ohm @ 2.2A, 10V 13mOhm @ 27.5A, 10V 18mOhm @ 27.5A, 10V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 4.5V, 10V 10V, 5V
FET-Merkmal - - - -
Supplier Device-Gehäuse D2PAK D²PAK (TO-263) D²PAK D2PAK
Verlustleistung (max) 110W (Tc) 70W (Tc) 80W (Tc) 95W (Tc)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

STB55NF06T4 Datenblatt PDF

Laden Sie STB55NF06T4 PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STB55NF06T4 - STMicroelectronics herunter.

PCN -Verpackung
Box Label Chg 28/Jul/2016.pdf Mult Dev Inner Box Chg 9/Dec/2021.pdf
PCN -Design/Spezifikation
D2PAK Lead Modification 04/Oct/2013.pdf IPG-PWR/14/8422 11/Apr/2014.pdf
Datenblätter
STx55NF06(-1,FP).pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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STB55NF06T4

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