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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTB5N80K5
STB5N80K5 Image
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STB5N80K5 - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STB5N80K5
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STB5N80K5
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 800V 4A D2PAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
STB5N80K5 Datasheet.pdf
RoHS Status
vorrätig: 38779

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Spezifikation

STB5N80K5 Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STB5N80K5 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STB5N80K5

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 100µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D²PAK (TO-263)  
Serie MDmesh™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.75Ohm @ 2A, 10V  
Verlustleistung (max) 60W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 177 pF @ 100 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 800 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4A (Tc)  
Grundproduktnummer STB5N80  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STB5N80K5.

Produkteigenschaften STB5N80K5 STB5N52K3 STB55NF06T4 STB57N65M5
Artikelnummer STB5N80K5 STB5N52K3 STB55NF06T4 STB57N65M5
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Serie MDmesh™ SuperMESH3™ STripFET™ II MDmesh™ V
Supplier Device-Gehäuse D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263) D2PAK D²PAK (TO-263)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) ±30V ±30V ±20V ±25V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) 150°C (TJ)
Grundproduktnummer STB5N80 STB5N STB55 STB57
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.75Ohm @ 2A, 10V 1.5Ohm @ 2.2A, 10V 18mOhm @ 27.5A, 10V 63mOhm @ 21A, 10V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 100µA 4.5V @ 50µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
FET-Merkmal - - - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5 nC @ 10 V 17 nC @ 10 V 60 nC @ 10 V 98 nC @ 10 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 177 pF @ 100 V 545 pF @ 100 V 1300 pF @ 25 V 4200 pF @ 100 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 800 V 525 V 60 V 650 V
Verlustleistung (max) 60W (Tc) 70W (Tc) 110W (Tc) 250W (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4A (Tc) 4.4A (Tc) 50A (Tc) 42A (Tc)

STB5N80K5 Datenblatt PDF

Laden Sie STB5N80K5 PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STB5N80K5 - STMicroelectronics herunter.

PCN -Verpackung
Mult Dev Inner Box Chg 9/Dec/2021.pdf
Datenblätter
STB5N80K5 Datasheet.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev OBS 3/Jul/2020.pdf Mult Dev Reinstate 6/Aug/2020.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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