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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTB9NK60ZDT4
STB9NK60ZDT4 Image
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STB9NK60ZDT4 - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STB9NK60ZDT4
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STB9NK60ZDT4
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 7A D2PAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
STB9NK60ZD.pdf
RoHS Status
vorrätig: 3880

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Spezifikation

STB9NK60ZDT4 Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STB9NK60ZDT4 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STB9NK60ZDT4

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 100µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D2PAK  
Serie SuperFREDmesh™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 950mOhm @ 3.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 125W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1110 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 53 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 7A (Tc)  
Grundproduktnummer STB9N  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STB9NK60ZDT4.

Produkteigenschaften STB9NK60ZDT4 STB9NK90Z STB9NK60ZT4 STB9NK70Z-1
Artikelnummer STB9NK60ZDT4 STB9NK90Z STB9NK60ZT4 STB9NK70Z-1
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Grundproduktnummer STB9N STB9 STB9 STB9N
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 7A (Tc) 8A (Tc) 7A (Tc) 7.5A (Tc)
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 100µA 4.5V @ 100µA 4.5V @ 100µA 4.5V @ 100µA
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
FET-Merkmal - - - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1110 pF @ 25 V 2115 pF @ 25 V 1110 pF @ 25 V 1370 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 53 nC @ 10 V 72 nC @ 10 V 53 nC @ 10 V 68 nC @ 10 V
Verlustleistung (max) 125W (Tc) 160W (Tc) 125W (Tc) 115W (Tc)
Serie SuperFREDmesh™ SuperMESH™ SuperMESH™ SuperMESH™
Supplier Device-Gehäuse D2PAK D2PAK D2PAK I2PAK
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Through Hole
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V 900 V 600 V 700 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 950mOhm @ 3.5A, 10V 1.3Ohm @ 3.6A, 10V 950mOhm @ 3.5A, 10V 1.2Ohm @ 4A, 10V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube

STB9NK60ZDT4 Datenblatt PDF

Laden Sie STB9NK60ZDT4 PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STB9NK60ZDT4 - STMicroelectronics herunter.

PCN -Design/Spezifikation
D2PAK Lead Modification 04/Oct/2013.pdf IPG-PWR/14/8422 11/Apr/2014.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Multiple Devices 27/Dec/2013.pdf
Datenblätter
STB9NK60ZD.pdf

Lieferung

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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