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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTB9NK90Z
STB9NK90Z Image
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STB9NK90Z - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STB9NK90Z
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STB9NK90Z
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 900V 8A D2PAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
STx9NK90Z.pdf
RoHS Status
vorrätig: 15194

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Spezifikation

STB9NK90Z Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STB9NK90Z Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STB9NK90Z

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 100µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D2PAK  
Serie SuperMESH™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.3Ohm @ 3.6A, 10V  
Verlustleistung (max) 160W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2115 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 72 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 900 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 8A (Tc)  
Grundproduktnummer STB9  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STB9NK90Z.

Produkteigenschaften STB9NK90Z STB9NK60ZDT4 STB9NK60ZT4 STB9NK70Z-1
Artikelnummer STB9NK90Z STB9NK60ZDT4 STB9NK60ZT4 STB9NK70Z-1
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 100µA 4.5V @ 100µA 4.5V @ 100µA 4.5V @ 100µA
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 8A (Tc) 7A (Tc) 7A (Tc) 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.3Ohm @ 3.6A, 10V 950mOhm @ 3.5A, 10V 950mOhm @ 3.5A, 10V 1.2Ohm @ 4A, 10V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 72 nC @ 10 V 53 nC @ 10 V 53 nC @ 10 V 68 nC @ 10 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Through Hole
Drain-Source-Spannung (Vdss) 900 V 600 V 600 V 700 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2115 pF @ 25 V 1110 pF @ 25 V 1110 pF @ 25 V 1370 pF @ 25 V
Grundproduktnummer STB9 STB9N STB9 STB9N
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verlustleistung (max) 160W (Tc) 125W (Tc) 125W (Tc) 115W (Tc)
Serie SuperMESH™ SuperFREDmesh™ SuperMESH™ SuperMESH™
Supplier Device-Gehäuse D2PAK D2PAK D2PAK I2PAK
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
FET-Merkmal - - - -

STB9NK90Z Datenblatt PDF

Laden Sie STB9NK90Z PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STB9NK90Z - STMicroelectronics herunter.

PCN -Verpackung
Mult Dev Inner Box Chg 9/Dec/2021.pdf
PCN -Design/Spezifikation
D2PAK Lead Modification 04/Oct/2013.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Devices 27/Feb/2019.pdf
Datenblätter
STx9NK90Z.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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